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1. (WO2008004034) CIRCUIT DE POLARISATION D'AMPLIFICATEUR INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/004034    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/052668
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 30.06.2006
CIB :
H03F 1/02 (2006.01), H03F 1/30 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 7700 West Parmer Lane, Austin, TX 78729 (US) (Tous Sauf US).
BOUNY, Jean-Jacques [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BOUNY, Jean-Jacques; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin, Angus; c/o Impetus IP Ltd, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTEGRATED AMPLIFIER BIAS CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE POLARISATION D'AMPLIFICATEUR INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN)A wireless communication unit (300) comprises a semiconductor power amplifier device (324) for receiving a radio frequency (RF) input signal and a bias circuit (326) arranged to provide a bias voltage to the semiconductor power amplifier device (324). The bias circuit (326) comprises a reference bias field effect transistor (FET) (Tl 405) having a source port coupled to ground, and gate port providing a bias control output to the semiconductor power amplifier device (324), and drain port coupled to a bias control signal. A buffer FET (T2 420) has a source port coupled to the bias control output of the bias circuit (326), a gate port coupled to the drain port of the reference bias FET (Tl 405), and a drain port coupled to a power supply. When applied to a high-power base station power amplifiers, using LDMOS RF FETs, the inventive concept provides improved thermal tracking, provides low impedance at baseband frequencies, as well as improved process tracking to known bias circuit topologies, as no tuning is required during manufacture.
(FR)La présente invention concerne une unité de communication sans fil (300) comportant un dispositif amplificateur de puissance à semi-conducteurs (324) pour recevoir un signal d'entrée radiofréquence et un circuit de polarisation (326) agencé pour fournir une tension de polarisation au dispositif amplificateur de puissance à semi-conducteurs (324). Le circuit de polarisation (326) comporte un transistor à effet de champ de polarisation de référence (T1 405) comprenant un accès source couplé à la masse, et un accès grille fournissant une sortie de commande de polarisation vers le dispositif amplificateur de puissance à semi-conducteurs (324), et un accès drain couplé au signal de commande de polarisation. Un transistor à effet de champ tampon (T2 420) comporte un accès source copulé à la sortie de commande de polarisation du circuit de polarisation (326), un accès grille couplé à l'accès drain du transistor à effet de champ de polarisation de référence (T1 405), et un accès drain couplée à une alimentation. Lors de son application à des amplificateurs de puissance de stations de base haute puissance, utilisant des transistors à effet de champ radiofréquence LDMOS, le concept de l'invention assure un repérage amélioré, fournit une faible impédance à des fréquences de bande de base, ainsi qu'un repérage de traitement amélioré par rapport à des topologies de circuit de polarisation connues, étant donné qu'aucune syntonisation n'est nécessaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)