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1. (WO2008003450) PROCÉDÉ DE GRAVURE GUIDÉE PAR JET DE LIQUIDE POUR L'ENLÈVEMENT DE MATIÈRE DE CORPS SOLIDES ET SON UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/003450    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/005846
Date de publication : 10.01.2008 Date de dépôt international : 02.07.2007
CIB :
B23K 26/40 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
JOHANN WOLFGANG GOETHE-UNIVERSITÄT FRANKFURT AM MAIN [DE/DE]; Senckenberganlage 31, 60325 Frankfurt am Main (DE) (Tous Sauf US).
MAYER, Kuno [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KOLBESEN, Bernd., O. [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MAYER, Kuno; (DE).
KOLBESEN, Bernd., O.; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Patent- und Rechtsanwälte, Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 030 588.4 03.07.2006 DE
Titre (DE) FLÜSSIGKEITSSTRAHLGEFÜHRTES ÄTZVERFAHREN ZUM MATERIALABTRAG AN FESTKÖRPERN SOWIE DESSEN VERWENDUNG
(EN) LIQUID JET-GUIDED ETCHING METHOD FOR REMOVING MATERIAL FROM SOLIDS AND THE USE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE GUIDÉE PAR JET DE LIQUIDE POUR L'ENLÈVEMENT DE MATIÈRE DE CORPS SOLIDES ET SON UTILISATION
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Materialabtrag an Festkörpern durch Flüssigkeitsstrahl-geführtes Ätzen. Verwendung findet das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere zum Schneiden, Mikrostrukturieren, Dotieren von Wafern oder auch deren Metallisierung.
(EN)The invention relates to a method for removing material from solids by liquid jet-guided etching. Said method is especially suitable for cutting, microstructuring and doping wafers or for metallizing the same.
(FR)L'invention concerne un procédé pour l'enlèvement de matière de corps solides par gravure guidée par jet liquide. Le procédé selon l'invention est particulièrement utile pour la découpe, la microstructuration et le dopage de tranches de silicium ou leur métallisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)