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1. (WO2008002879) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (FET) À GRILLE EN TRANCHÉES LATÉRALE POURVU D'UNE TRAJECTOIRE DE COURANT SOURCE-DRAIN DIRECTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/002879    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/072034
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 25.06.2007
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, South Portland, Maine 04106-0022 (US) (Tous Sauf US).
JEON, Chang-ki [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
DOLNY, Gary [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JEON, Chang-ki; (KR).
DOLNY, Gary; (US)
Mandataire : SANI, Barmak; TOWNSEND and TOWNSEND and CREW LLP, Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
11/479,149 29.06.2006 US
Titre (EN) LATERAL TRENCH GATE FET WITH DIRECT SOURCE-DRAIN CURRENT PATH
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (FET) À GRILLE EN TRANCHÉES LATÉRALE POURVU D'UNE TRAJECTOIRE DE COURANT SOURCE-DRAIN DIRECTE
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor includes a trench gate extending into a semiconductor region. The trench gate has a front wall facing a drain region and a side wall perpendicular to the front wall. A channel region extends along the side wall of the trench gate, and a drift region extends at least between the drain region and the trench gate. The drift region includes a stack of alternating conductivity type silicon layers.
(FR)Cette invention concerne un transistor à effet de champ comprenant une grille en tranchées s'étendant dans une zone semiconductrice. La grille en tranchées présente une paroi avant qui est située en face d'une région de drain et une paroi latérale perpendiculaire à la paroi avant. Une zone de trajectoire s'étend le long de la paroi latérale de la grille en tranchées. La région de dérive comprend un empilement de couches de silicium de type à conductivité alternative.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)