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1. (WO2008002710) PROCÉDÉ DESTINÉ À SOLLICITER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/002710    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/066122
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 06.04.2007
CIB :
H01L 21/26 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
SPENCER, Gregory S. [US/US]; (US) (US Seulement).
FILIPIAK, Stanley M. [US/US]; (US) (US Seulement).
RAMANI, Narayanan C. [IN/US]; (US) (US Seulement).
TURNER, Michael D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SPENCER, Gregory S.; (US).
FILIPIAK, Stanley M.; (US).
RAMANI, Narayanan C.; (US).
TURNER, Michael D.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/426,463 26.06.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR STRAINING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À SOLLICITER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A strained semiconductor layer (12) is achieved by an overlying stressed dielectric layer (34). The stress in the dielectric layer (34) is increased by a radiation anneal (36). The radiation anneal (36) can be either by scanning using a laser beam or a flash tool that provides the anneal to the whole dielectric layer simultaneously. The heat is intense, preferably 900-1400 degrees Celcius, but for a very short duration of less than 10 milliseconds; preferably about 1 millisecond or even shorter. The result of the radiation anneal (36) can also be used to activate the source/drain. Thus, this type of radiation anneal can result in a larger change in stress, activation of the source/drain, and still no expansion of the source/drain (26, 28).
(FR)Une couche semi-conductrice en présence d'extension (12) est obtenue au moyen d'une couche diélectrique contrainte sous-jacente (34). La contrainte dans la couche diélectrique (34) est augmentée par un recuit par radiation (36). Le recuit par radiation (36) peut être réalisé soit par balayage en utilisant un faisceau laser soit au moyen d'un outil à éclairs qui fournit le recuit à la totalité de la couche diélectrique simultanément. La chaleur est intense, de préférence 900-1400 degrés Celsius, mais pour une très courte durée inférieure à 10 millisecondes ; de préférence environ 1 milliseconde et encore plus court. Le résultat du recuit par radiation (36) peut également être utilisé pour activer la source/le drain. De la sorte, ce type de recuit par radiation peut avoir pour résultat un changement plus important de la contrainte, une activation de la source/du drain et toujours aucune dilatation de la source/du drain (26, 28).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)