WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008002669) NETTOYAGE D'UNE SURFACE DE TRANCHE APRÈS LA GRAVURE AU MOYEN D'UN MÉNISQUE DE LIQUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/002669    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/015249
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 28.06.2007
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), B08B 3/00 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
ZHU, Ji [CN/US]; (US) (US Seulement).
YUN, Seokmin [KR/US]; (US) (US Seulement).
WILCOXSON, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
DE LARIOS, John, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHU, Ji; (US).
YUN, Seokmin; (US).
WILCOXSON, Mark; (US).
DE LARIOS, John, M.; (US)
Mandataire : PENILLA, Albert, S.; Martine Penilla & Gencarella, LLP, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/477,299 28.06.2006 US
Titre (EN) POST ETCH WAFER SURFACE CLEANING WITH LIQUID MENISCUS
(FR) NETTOYAGE D'UNE SURFACE DE TRANCHE APRÈS LA GRAVURE AU MOYEN D'UN MÉNISQUE DE LIQUIDE
Abrégé : front page image
(EN)A method for cleaning the surface of a semiconductor wafer is disclosed. A first cleaning solution is applied to the wafer surface to remove contaminants on the wafer surface. The first cleaning solution is removed with some of the contaminants on the wafer surface. Next, an oxidizer solution is applied to the wafer surface. The oxidizer solution forms an oxidized layer on remaining contaminants. The oxidizer solution is removed and then a second cleaning solution is applied to the wafer surface. The second cleaning solution is removed from the wafer surface. The cleaning solution is configured to substantially remove the oxidized layer along with the remaining contaminants.
(FR)La présente invention concerne un procédé de nettoyage de la surface d'une tranche de semi-conducteur. Le procédé de nettoyage se déroule de la manière suivante: on applique une première solution de nettoyage sur la surface de la tranche pour éliminer les contaminants se trouvant sur la surface de la tranche; on élimine la première solution de nettoyage et une partie des contaminants se trouvant sur la surface de la tranche; on applique ensuite une solution oxydante sur la surface de la tranche, cette solution formant une couche oxydée sur les contaminants restants; on élimine ensuite la solution oxydante et on applique alors une deuxième solution de nettoyage sur la surface de la tranche; puis on élimine cette deuxième solution de nettoyage de la surface de la tranche. La solution de nettoyage est conçue pour éliminer sensiblement la couche oxydée en même temps que les contaminants restants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)