WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008002421) SUPPRESSEUR DE TENSION TRANSITOIRE À FAIBLE CHUTE DE TENSION DIRECTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/002421    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/014320
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 20.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.2008    
CIB :
H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR [US/US]; 100 Motor Parkway Suite 135, Hauppauge, New York 11788 (US) (Tous Sauf US).
KAO, Lung-Ching,; (US) (US Seulement).
KUNG, Pu-Ju; (US) (US Seulement).
YU, Yu-Ju; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KAO, Lung-Ching,; (US).
KUNG, Pu-Ju; (US).
YU, Yu-Ju; (US)
Mandataire : GOODHUE, John D.,; MCKEE, VOORHEES & SEASE PLC, 801 Grand Avenue, Suite 3200, Des Moines, Iowa 50309 (US)
Données relatives à la priorité :
60/805,689 23.06.2006 US
Titre (EN) LOW FORWARD VOLTAGE DROP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR AND METHOD OF FABRICATING
(FR) SUPPRESSEUR DE TENSION TRANSITOIRE À FAIBLE CHUTE DE TENSION DIRECTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A low forward voltage drop transient voltage suppressor utilizes a low-reverse-voltage-rated PN diode electrically connected in parallel to a high-reverse-voltage-rated Schottky rectifier in a single integrated circuit device. The transient voltage suppressor is ideally suited to fix the problem of high forward voltage drop of PN diodes and high leakage of low reverse breakdown of Schottky rectifiers. The low-reverse-voltage PN rectifier can be fabricated through methods such as 1) double layers of epi (with higher concentration layer epi in the bottom) or 2) punch through design of PN diode by base with compression.
(FR)L'invention concerne un suppresseur de tension transitoire à faible chute de tension directe utilisant une diode PN nominale à faible tension inverse électriquement connectée en parallèle d'un redresseur Schottky nominal à tension inverse élevée dans un dispositif à circuits intégrés unique. Le suppresseur de tension transitoire est idéalement conçu pour résoudre les problèmes de chute importante de tension directe des diodes PN et de fuite importante des redresseurs Schottky à faible rupture inverse. Le redresseur de PN à faible tension inverse peut être fabriqué à partir de procédés tels que 1) une double couche d'épitaxiale (avec une couche épitaxiale présentant une concentration plus élevée dans le fond) ou 2) un modèle de perçage de la diode PN par la base, par compression.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)