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1. (WO2008001853) procédé de traitement au plasma et équipement
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001853    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/063013
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 28.06.2007
CIB :
H01L 21/314 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
FUKIAGE, Noriaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKIAGE, Noriaki; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-178786 28.06.2006 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING METHOD AND EQUIPMENT
(FR) procédé de traitement au plasma et équipement
(JA) プラズマ処理方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN)When a predetermined processing, e.g. a film deposition processing, is performed on a workpiece (W) under the existence of plasma by supplying inert gas and processing gas into a processing container, a step for setting a pressure in the processing container to a pressure capable of igniting plasma by starting inert gas supply into the processing container, a step for starting processing gas supply into the processing container and igniting plasma before it becomes non-ignitable due to an increase in partial pressure of the processing gas, a step for regulating the pressure in the processing container to a process pressure for carrying out the predetermined processing, and a step for carrying out the predetermined processing by altering plasma power supplied in order to ignite and sustain plasma to the value of plasma power for carrying out the predetermined processing, are performed sequentially. Since the predetermined processing is performed effectively on the workpiece immediately after start of the step for carrying out the predetermined processing, throughput can be enhanced sharply.
(FR)Lorsque l'on réalise un traitement prédéterminé, par exemple un traitement de déposition de film, sur une pièce d'usinage (W) en présence de plasma en injectant du gaz inerte et du gaz de traitement dans un contenant de traitement, une phase consistant à régler une pression dans le contenant de traitement sur une valeur capable d'enflammer le plasma en lançant l'injection de gaz inerte dans le contenant de traitement, une phase consistant à lancer l'injection de gaz de traitement dans le contenant de traitement et à enflammer le plasma avant que cela ne devienne impossible en raison d'une augmentation de la pression partielle du gaz de traitement, une phase consistant à réguler la pression dans le contenant de traitement sur une pression de traitement permettant de réaliser le traitement prédéterminé, et une phase consistant à réaliser le traitement prédéterminé en modifiant la puissance du plasma injecté pour enflammer et maintenir le plasma à la valeur de puissance de plasma permettant de réaliser le traitement prédéterminé, sont réalisées de manière séquentielle. Comme le traitement prédéterminé se déroule de manière efficace sur la pièce d'usinage immédiatement après le début de la phase consistant à réaliser le traitement prédéterminé, le rendement peut être nettement amélioré.
(JA) 処理容器内へ不活性ガスと処理ガスとを供給してプラズマの存在下にて被処理体Wに対して所定の処理例えば成膜処理を施すにあたって、処理容器内へ不活性ガスの供給を開始して処理容器内の圧力をプラズマが着火できるような圧力に設定する着火圧力設定工程と、処理容器内への処理ガスの供給を開始すると共に、処理ガスの分圧の増大によってプラズマが着火不能になる前にプラズマを着火するプラズマ着火工程と、処理容器内の圧力を前記所定の処理を行うためのプロセス圧力に変化させる圧力調整工程と、プラズマを着火して維持するために供給しているプラズマ電力を前記所定の処理を行うためのプラズマ電力の値に変更して前記所定の処理を行う処理実行工程と、を順次実施する。処理実行工程の開始直後から前記所定の処理が被処理体に有効に施されるため、スループットを大幅に向上させることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)