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1. (WO2008001809) dispositif de traitement de plasma par micro-ondes
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001809    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/062907
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 27.06.2007
CIB :
C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : The University of Tokyo [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (Tous Sauf US).
CHUBU Electric Power Co., Inc. [JP/JP]; 1, Higashishin-cho, Higashi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4618680 (JP) (Tous Sauf US).
OHSAKI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIM, Jaeho [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAYA, Shigeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASHIMA, Naoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATSURAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHSAKI, Hiroyuki; (JP).
KIM, Jaeho; (JP).
NAGAYA, Shigeo; (JP).
KASHIMA, Naoji; (JP).
KATSURAI, Makoto; (JP)
Mandataire : USHIKI, Mamoru; 3rd Fl., Yusei Fukushi Kotohira Bldg. 14-1, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-180485 29.06.2006 JP
Titre (EN) MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) dispositif de traitement de plasma par micro-ondes
(JA) マイクロ波プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a plasma processing device which can generate plasma having an excellent feature and control it and which is appropriate for processing such as thin film formation and etching. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A microwave plasma processing device (1) includes: a vacuum container (105) having a processing chamber (10) containing a substrate (106) and a dielectric window (104) hermetically arranged, through which a microwave can pass; a dielectric antenna (102) for introducing a microwave propagating through a waveguide (101) into the vacuum container (105); and a conductive plate (203) arranged along the dielectric window (104) in the processing chamber (10). An internal vessel (201) is arranged in the processing chamber (10). A plurality of conductors (202) are arranged in the internal vessel (201). An electric lead line (210) is arranged in each of the conductor plate (203), the internal vessel (201), and the plurality of conductors (202). Switches (211, 212, 213) have first ends connected to the electric lead line (210) and second ends connected to a grounding circuit outside the vacuum container (105).
(FR)L'invention consiste à fournir un dispositif de traitement du plasma qui peut générer un plasma qui présente d'excellentes caractéristiques et le contrôler, et qui permet par exemple des traitements de formation de films fins ou de gravure. L'invention propose un dispositif de traitement de plasma par micro-ondes qui comprend: un récipient (105) sous vide qui présente une chambre de traitement (10) qui contient un substrat (106) et une fenêtre diélectrique (104) agencée de façon hermétique et que les micro-ondes peuvent traverser; une antenne diélectrique (102) qui introduit des micro-ondes qui se propagent dans un guide d'ondes (101) prévu dans le récipient (105) sous vide; et une plaque conductrice (203) agencée le long de la fenêtre diélectrique (104) dans la chambre de traitement (10). Un récipient interne (201) est agencé dans la chambre de traitement (10). Une pluralité de conducteurs (202) sont agencés dans le récipient interne (201). Une ligne électriquement conductrice (210) est agencée dans la plaque conductrice (203), le récipient interne (201) et la pluralité de conducteurs (202). Des commutateurs (211, 212, 213) ont une première extrémité reliée à la ligne électriquement conductrice (210) et une deuxième extrémité reliée à un circuit de terre à l'extérieur du récipient sous vide (105).
(JA)figure
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)