WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008001698) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001698    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/062625
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 22.06.2007
CIB :
C23C 18/16 (2006.01), C23C 18/31 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWASHITA, Mitsuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Takashi; (JP).
HARA, Kenichi; (JP).
IWASHITA, Mitsuaki; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F, 1-7-20 Hirakawacho Chiyoda-ku, Tokyo, 102-0093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-174745 26.06.2006 JP
2006-194758 14.07.2006 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a substrate processing method which comprises a step for performing an electroless CoWB plating on a Cu wiring provided on a wafer W, and a step for post-cleaning the wafer as a processed substrate with a cleaning liquid before a by-product is deposited on the surface of a CoWB film which is formed over the Cu wiring by the electroless plating step.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de substrats, qui comprend une étape permettant le dépôt autocatalytique de CoWB sur un câblage de Cu formé sur une plaquette W, et une étape consistant à effectuer le post-nettoyage de la plaquette servant de substrat traité à l'aide d'un liquide de nettoyage, avant qu'un produit secondaire ne soit déposé sur la surface du film de CoWB formé par-dessus le câblage de Cu par l'étape de dépôt autocatalytique.
(JA) 基板処理方法は、ウエハWに設けられたCu配線にCoWBからなる無電解めっきを施す工程と、この無電解めっき工程によってCu配線に被覆されたCoWB膜の表面の副生成物が析出する前に、被処理基板であるウエハを洗浄液によって後洗浄処理する工程とを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)