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1. (WO2008001569) SYSTÈME DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE AU MOYEN DUDIT SYSTÈME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001569    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060772
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 28.05.2007
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/22 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
IIDA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MITAMURA, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANAGIMACHI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IIDA, Makoto; (JP).
MITAMURA, Nobuaki; (JP).
YANAGIMACHI, Takahiro; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-175435 26.06.2006 JP
Titre (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING SYSTEM AND SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD USING THE SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE AU MOYEN DUDIT SYSTÈME
(JA) シリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A system is provided for designing manufacturing conditions for controlling an F/G value within a prescribed range to have the crystal quality of a silicon single crystal manufactured by a pulling apparatus employing the CZ method to be within a target standard. The silicon single crystal manufacturing system is provided with at least a means (1) for automatically designing manufacturing conditions of the silicon single crystal of a subsequent batch temporarily, based on the crystal quality results of the silicon single crystal of the previous batch; a means (2) for calculating a correction quantity from the change quantity of a value F and/or G brought by the constitution member of the pulling apparatus for the subsequent batch; a means (3) for calculating a correction quantity from the change quantity of a value F and/or G brought by the manufacturing step of the subsequent batch; and a means (4) for calculating manufacturing conditions of the subsequent batch by adding the correction quantity obtained from the means (2) and/or the means (3) to the manufacturing conditions obtained from the means (1). Thus, the silicon single crystal having desired crystal qualities can be surely obtained, and the silicon single crystal manufacturing system with improved productivity and yield and the silicon single crystal manufacturing method using such system are provided.
(FR)Le système proposé permet de concevoir des conditions de fabrication afin de conserver une valeur F/G au sein d'une fourchette de valeurs prédéterminée de façon à ce que la qualité cristalline d'un cristal de silicium unique fabriqué par un dispositif de traction utilisant le procédé CZ respecte une norme cible. Le système de fabrication du cristal de silicium unique est doté d'au moins un moyen (1) permettant de concevoir automatiquement les conditions de fabrication du cristal de silicium unique d'un lot ultérieur de façon temporaire, sur la base des résultats obtenus en matière de qualité cristalline du cristal de silicium unique du lot précédent ; un moyen (2) permettant de calculer un coefficient de correction à partir du coefficient d'évolution d'une valeur F et/ou G résultant de l'élément constitutif du dispositif de traction pour le lot ultérieur ; un moyen (3) permettant de calculer un coefficient de correction à partir du coefficient d'évolution d'une valeur F et/ou G résultant de l'étape de fabrication du lot ultérieur ; et un moyen (4) permettant de calculer les conditions de fabrication du lot ultérieur par addition du coefficient de correction obtenu à partir du moyen (2) et/ou du moyen (3) aux conditions de fabrication obtenues à partir du moyen (1). Ainsi, le cristal de silicium unique possédant les qualités cristallines recherchées peut être obtenu de façon certaine, et le système de fabrication du cristal de silicium unique caractérisé par une productivité et un rendement accrus, de même que le procédé de fabrication d'un cristal de silicium unique au moyen dudit système sont proposés.
(JA) 本発明は、CZ法を用いた引上げ装置で製造されるシリコン単結晶の結晶品質を目標規格内とするため、F/Gの値を所定範囲内に制御する製造条件を設計するシステムで、少なくとも、自動により前バッチのシリコン単結晶の結晶品質結果から次バッチのシリコン単結晶の製造条件を仮設計する手段1、次バッチの引上げ装置の構成部材を要因とするFおよび/またはGの変化量から補正量を算出する手段2、次バッチでの製造工程を要因とするFおよび/またはGの変化量から補正量を算出する手段3、手段1による製造条件に手段2および/または手段3による補正量を加算し、次バッチでの製造条件を算出する手段4を具備するシリコン単結晶の製造システムを提供する。これにより、所望の結晶品質のシリコン単結晶をより確実に得ることができ、生産性や歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法が提供される。  
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)