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1. (WO2008001255) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE TENSION CONSTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001255    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/052296
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 15.06.2007
CIB :
G05F 3/24 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
NEDALGI, Dharmaray, M. [IN/IN]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : NEDALGI, Dharmaray, M.; (NL)
Mandataire : MACCALLI, Marco; c/o Maccalli & Pezzoli S.r.l., via Settembrini, 40, I-20124 Milano (IT)
Données relatives à la priorité :
06116067.7 26.06.2006 EP
Titre (EN) A CONSTANT VOLTAGE GENERATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE TENSION CONSTANTE
Abrégé : front page image
(EN)A constant voltage generator is presented. The device provides a first and a second transistor having their main current path coupled serially via a common terminal for providing a constant output voltage at the common terminal of said transistors. The device further provides one or more potential divider having a plurality of serially connected resistive elements. A first voltage is obtained from a first combination of resistive elements of the potential divider and a second voltage obtained from a second combination of resistive elements of the potential divider. The first and the second voltages are supplied to the first and the second voltage at the control terminals of the first and the second transistors respectively.
(FR)L'invention concerne un générateur de tension constante. Le dispositif utilise des premier et second transistors dont la ligne de courant principal est reliée en série par l'intermédiaire d'une borne commune afin de fournir une tension de sortie constante au niveau de la borne commune desdits transistors. Le dispositif utilise en outre un ou plusieurs diviseurs de potentiel comportant une pluralité d'éléments résistifs reliés en série. Une première tension est obtenue à partir d'une première combinaison d'éléments résistifs du diviseur de potentiel, et une seconde tension est obtenue à partir d'une seconde combinaison d'éléments résistifs du diviseur de potentiel. Les première et seconde tensions sont respectivement appliquées au niveau des bornes de commande des première et seconde tensions des premier et second transistors.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)