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1. (WO2008001248) CIRCUIT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001248    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/052225
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 12.06.2007
CIB :
H01L 23/525 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
LEMAIRE, Gregory. M., H. [FR/FR]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : LEMAIRE, Gregory. M., H.; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
06300731.4 28.06.2006 EP
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides an integrated circuit comprising a substrate (99) having a first electrode (1,11,12,13,14) and a second electrode (2,21,22,23,24) adjacent to and electrically isolated from the first electrode (1,11,12,13,14) and a selectively present conductive layer (3,31,32,33), which is deposited on the first electrode (1,11,12,13,14) and the second electrode (2,21,22,23,24), to provide for a selected state in which the first electrode (1,11,12,13,14) and the second electrode (2,21,22,23,24) are electrically connected. The possibility to choose for the selected state enables an adjustment or trimming of the integrated circuit, by, for example, selectively adding a semiconductor device to the integrated circuit.
(FR)L'invention propose un circuit intégré comprenant un substrat (99) ayant une première électrode (1,11,12,13,14) et une seconde électrode (2,21,22,23,24) adjacente à et isolée électriquement de la première électrode (1,11,12,13,14) et une couche conductrice présente de manière sélective (3,31,32,33), qui est déposée sur la première électrode (1,11,12,13,14) et la seconde électrode (2,21,22,23,24), pour procurer un état sélectionné dans lequel la première électrode (1,11,12,13,14) et la seconde électrode (2,21,22,23,24) sont connectées électriquement. La possibilité de choisir l'état sélectionné permet un ajustement ou une compensation du circuit intégré, par exemple, par l'ajout de manière sélective d'un dispositif semi-conducteur au circuit intégré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)