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1. (WO2008001142) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001142    N° de la demande internationale :    PCT/GB2007/050369
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 29.06.2007
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67, D-99097 Erfurt (DE) (Tous Sauf US).
STRIBLEY, Paul, Ronald [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
ELLIS, John, Nigel [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : STRIBLEY, Paul, Ronald; (GB).
ELLIS, John, Nigel; (GB)
Mandataire : HAGMANN-SMITH, Martin; Marks & Clerk, 4220 Nash Court, Oxford Business Park South, Oxford, Oxfordshire OX4 2RU (GB)
Données relatives à la priorité :
0612926.6 30.06.2006 GB
Titre (EN) TRANSISTOR ARRAY WITH SHARED BODY CONTACT AND METHOD OF MANUFACTURING
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an array of transistors arranged next to each other on a semiconductor substrate, the' substrate comprising p-well or n-well diffusions forming the body regions of the transistors, each transistor comprising a source, a drain and a gate, wherein the array of transistors further comprises at least one electrical connection (100, 102, 104, 106) to the body regions, wherein said electrical connection is shared by at least two transistors of said array. Also disclosed is a semiconductor device comprising at least one source, at least one drain, at least one gate between the at least one source and the at least one drain, and at least one structure (110, 112, 114, 116) of the same material as the at least one gate which does not have a connection means for electrical connection to the at least one gate.
(FR)La présente invention concerne un ensemble de transistors agencés les uns à côté des autres sur un matériau semi-conducteur formant un substrat, le substrat comprenant des diffusions de puits p ou de puits n formant un corps, lesquelles diffusions sont utilisées en tant que régions du corps des transistors, chaque transistor comprenant une source, un drain et une porte logique, dans lequel l'ensemble de transistors comprend en outre au moins une connexion électrique au corps, dans lequel ladite connexion électrique est partagée par au moins deux transistors dudit ensemble. La présente invention présente également un dispositif à semi-conducteur comprenant au moins une source, au moins un drain, au moins une porte logique entre la au moins une source et le au moins un drain, et au moins une structure du même matériau que la au moins une porte logique qui ne dispose pas de moyens de connexion pour une connexion électrique sur la au moins une porte logique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)