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1. (WO2008001135) CIRCUITS CMOS ADAPTÉS AUX APPLICATIONS RF À FAIBLE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001135    N° de la demande internationale :    PCT/GB2007/050362
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 27.06.2007
CIB :
H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67, D-99097 Erfurt (DE) (Tous Sauf US).
STRIBLEY, Paul Ronald [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
ELLIS, John Nigel [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : STRIBLEY, Paul Ronald; (GB).
ELLIS, John Nigel; (GB)
Mandataire : ASQUITH, Julian; Marks & Clerk, 4220 Nash Court, Oxford Business Park South, Oxford, Oxfordshire OX4 2RU (GB)
Données relatives à la priorité :
0612921.7 30.06.2006 GB
Titre (EN) CMOS CIRCUITS SUITABLE FOR LOW NOISE RF APPLICATIONS
(FR) CIRCUITS CMOS ADAPTÉS AUX APPLICATIONS RF À FAIBLE BRUIT
Abrégé : front page image
(EN)A CMOS circuit comprises CMOS MOSFETs (4,6,16,18) having n-type and p-type gates on the same substrate (12), wherein the substrate is divided into regions of n-type (22) and p-type diffusions (24), and those diffusions (22,24) are contained within a deeper n-type diffusion (26) i.e. a triplewell, used to junction isolate components within the deeper n-type diffusion from components (4,6) outside of the deeper n-type diffusion.
(FR)Circuit CMOS comprenant des MOSFET CMOS (4, 6, 16, 18) ayant des portes logiques de type n et de type p sur le même substrat (12). Le substrat est divisé en régions de diffusions de type n (22) et de type p (24), et ces diffusions (22, 24) sont contenues à l'intérieur d'une diffusion de type n plus profonde (26), c'est-à-dire un triple puits. Le circuit est utilisé pour faire la jonction entre les composants isolés à l'intérieur de la diffusion de type n plus profonde et les composants (4, 6) en dehors de la diffusion de type n plus profonde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)