WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008001030) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS, APPAREIL GÉNÉRATEUR DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS, APPAREIL L'UTILISANT ET ÉMETTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/001030    N° de la demande internationale :    PCT/GB2006/050180
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 30.06.2006
CIB :
H01J 1/13 (2006.01), H01J 3/02 (2006.01), H01J 37/06 (2006.01), H01J 35/06 (2006.01)
Déposants : SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-kuwabaracho, Kyoto-shi, Kyoto 604-8511 (JP) (Tous Sauf US).
UNIVERSITY OF YORK [GB/GB]; Heslington, York YO10 5DD (GB) (Tous Sauf US).
FUJITA, Shin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EL-GOMATI, Mohamed [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
WELLS, Torquil [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : FUJITA, Shin; (JP).
EL-GOMATI, Mohamed; (GB).
WELLS, Torquil; (GB)
Mandataire : STANLEY, David; Stanleys, Marlborough House, Westminster Place, York Business Park, Nether Poppleton, York YO26 6RW (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON BEAM CONTROL METHOD, ELECTRON BEAM GENERATING APPARATUS, APPARATUS USING THE SAME, AND EMITTER
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS, APPAREIL GÉNÉRATEUR DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS, APPAREIL L'UTILISANT ET ÉMETTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a Schottky emitter having the conical end with a radius of curvature of 2.0 µm on the emission side of an electron beam. Since a radius of curvature is 1 µm or more, a focal length of an electron gun can be longer than in a conventional practice wherein a radius of curvature is in the range of from 0.5 µm to not more than 0.6 µm . The focal length was found to be roughly proportional to the radius of the curvature. Since the angular current intensity (the beam current per unit solid angle) is proportional to square of the electron gun focal length, the former can be improved by an order of magnitude within a practicable increase in the emitter radius. A higher angular current intensity means a larger beam current available from the electron gun and the invention enables the Schottky emitters to be used in applications which require relatively high beam current of microampere regime such as microfocus X-ray tube, electron probe micro-analyzer, and electron beam lithography system.
(FR)Émetteur Schottky présentant une extrémité conique possédant un rayon de courbure de 2,0 µm du côté d'émission d'un faisceau d'électrons. Comme le rayon de courbure est supérieur ou égal à 1 µm, la distance focale d'un canon à électrons est supérieure à celle obtenue dans l'état de la technique où le rayon de courbure est compris entre 0,5 µm et 0,6 µm. La distance focale s'est avérée être globalement proportionnelle au rayon de courbure. Comme l'intensité de courant angulaire (courant de faisceau par unité d'angle solide) est proportionnelle au carré de la distance focale du canon à électrons, il est possible de l'accroître d'un ordre de grandeur en augmentant de façon raisonnable le rayon de l'émetteur. L'intensité de courant angulaire accrue permet d'obtenir un courant de faisceau plus important du canon à électrons, si bien que l'invention permet la mise en œuvre des émetteurs Schottky dans des applications nécessitant des courants de faisceau relativement importants de l'ordre du microampère, notamment dans les tubes à rayons X à micro-focalisation, les micro-analyseurs par sondes électroniques et les systèmes lithographiques à faisceau d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)