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1. (WO2008000801) BAIN DE CROISSANCE D'UNE NANOTIGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/000801    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/056501
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 28.06.2007
CIB :
C30B 7/00 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C01G 9/02 (2006.01)
Déposants : Stormled AB [SE/SE]; Kemivägen 9, Rum A714, S-412 96 Göteborg (SE) (Tous Sauf US).
WILLANDER, Magnus [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
HU, Quihong [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : WILLANDER, Magnus; (SE).
HU, Quihong; (SE)
Mandataire : AWAPATENT AB; P.O. Box 11394, S-404 28 Göteborg (SE)
Données relatives à la priorité :
06116370.5 30.06.2006 EP
Titre (EN) BATH FOR GROWING A NANOROD
(FR) BAIN DE CROISSANCE D'UNE NANOTIGE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to bath for growing a nanorod on an electrically conductive layer, the bath comprising a zinc containing precursor, tetramine, and at least one additional precursor, wherein the at least one additional precursor is a salt comprising at least one of Mg2+ and Cd2+. Advantages with the present invention is that flows and concentrations could be more easily controlled in the solution and larger substrates grown, as the substrate is merely places in a wet chemical bath and the growth is uniform over the whole surface. In high temperature methods it is usually difficult to control the uniformity of particle bombardment or gas flows over larger areas.
(FR)L'invention concerne un bain permettant de faire croître une nanotige sur une couche électriquement conductrice, ce bain comprenant un précurseur contenant du zinc, une tétramine et au moins un précurseur additionnel, ce précurseur additionnel étant un sel comprenant au moins Mg2+ et ou Cd2+. L'intérêt de cette invention réside dans le fait que des flux et des concentrations peuvent être plus facilement contrôlés dans la solution et les substrats de croissance sont plus grands, dans la mesure où le substrat est simplement placé dans un bain chimique humide et où cette croissance est uniforme sur toute la surface. Dans des procédés haute températures il est habituellement difficile de contrôler l'uniformité d'un bombardement de particules ou d'un flux de gaz sur de grandes zones.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)