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1. (WO2008000245) SYSTÈME DE TRAITEMENT PLASMA AVEC UN DISPOSITIF PORTE SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE ET PROCÉDÉ POUR LE DÉCOUPLAGE D'UNE SOURCE DE TENSION CC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/000245    N° de la demande internationale :    PCT/DE2007/001151
Date de publication : 03.01.2008 Date de dépôt international : 29.06.2007
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : HÜTTINGER ELEKTRONIK GMBH + CO. KG [DE/DE]; Bötzinger Strasse 80, 79111 Freiburg (DE) (Tous Sauf US).
MANN, Ekkehard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FRITSCH, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MANN, Ekkehard; (DE).
FRITSCH, Christian; (DE)
Mandataire : KOHLER SCHMID MÖBUS; Ruppmannstr. 27, 70565 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 030 801.8 30.06.2006 DE
Titre (DE) PLASMAPROZESSSYSTEM MIT EINER ELEKTROSTATISCHEN PROBENHALTEANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR ENTKOPPLUNG EINER DC-SPANNUNGSQUELLE
(EN) PLASMA PROCESS SYSTEM WITH AN ELECTROSTATIC SAMPLE HOLDING ARRANGEMENT AND METHOD FOR DECOUPLING A DC-VOLTAGE SOURCE
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT PLASMA AVEC UN DISPOSITIF PORTE SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE ET PROCÉDÉ POUR LE DÉCOUPLAGE D'UNE SOURCE DE TENSION CC
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem Plasmaprozesssystem (1) mit einem HF-Leistungsgenerator (11), der einer Plasmakammer (9) eine HF-Leistung zuführt, und einer eine Elektrode (8), eine DC-Spannungsquelle (2) und eine in der elektrischen Verbindung zwischen Elektrode und DC-Spannungsquelle (2) angeordnete Filtereinrichtung (7) umfassenden elektrostatischen Probenhalteanordnung weist die Filtereinrichtung (7) zumindest ein dissipatives Bauteil (R2) auf. Der Einfluss von unerwünschten Schwingungen auf die DC-Spannungsquelle (2) kann dadurch verringert werden.
(EN)The invention relates to a plasma processing system (1) having a HF-power generator (11) which supplies HF-power to a plasma chamber (9), and having an electrostatic sample holding arrangement comprising an electrode (8), a DC-voltage source (2), and a filter device (7) arranged in the electrical connection between the electrode and the DC-voltage source (2). The filter device (7) comprises at least one dissipative component (R2). By this method, the influence of unwanted oscillations on the DC-voltage source (2) can be reduced.
(FR)Sur un système de traitement plasma (1) avec un générateur de puissance HF (11), qui conduit une puissance HF à une chambre de plasma (9), et un dispositif porte substrat électrostatique comprenant une électrode (8), une source de tension CC (2) et un dispositif de filtrage (7) placé dans la liaison électrique entre l'électrode et la source de tension CC (2), le dispositif de filtrage (7) présente un élément de dissipation (R2). L'influence d'oscillations intempestives sur la source de tension CC (2) peut en être réduite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)