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1. (WO2007149849) Carbure de silicium et transistors à large bande interdite associés sur substrat épitaxial semi-isolant
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/149849    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/071549
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 19.06.2007
CIB :
H01L 29/15 (2006.01)
Déposants : SEMISOUTH LABORATORIES, INC. [US/US]; 201 Research Boulevard, Starkville, MS 39759 (US) (Tous Sauf US).
MAZZOLA, Michael, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAZZOLA, Michael, S.; (US)
Mandataire : RAIMUND, Christopher, W.; Morris, Manning & Martin, LLP, 1333 H Street, N.W., Suite 820, Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
60/805,139 19.06.2006 US
11/764,593 18.06.2007 US
Titre (EN) SILICON CARBIDE AND RELATED WIDE-BANDGAP TRANSISTORS ON SEMI INSULATING EPITAXY
(FR) Carbure de silicium et transistors à large bande interdite associés sur substrat épitaxial semi-isolant
Abrégé : front page image
(EN)A method of making a semi-insulating epitaxial layer includes implanting a substrate or a first epitaxial layer formed on the substrate with boron ions to form a boron implanted region on a surface of the substrate or on a surface of the first epitaxial layer, and growing a second epitaxial layer on the boron implanted region of the substrate or on the boron implanted region of the first epitaxial layer to form a semi-insulating epitaxial layer.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élaboration d'une couche épitaxiale semi-isolante qui comprend l'implantation d'un substrat ou d'une première couche épitaxiale formée sur le substrat avec des ions bore pour former une région implantée au bore sur une surface du substrat ou de la première couche épitaxiale, et la croissance d'une deuxième couche épitaxiale sur la région implantée au bore du substrat ou de la première couche épitaxiale pour former une couche épitaxiale semi-isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)