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1. (WO2007149846) CARBURE DE SILICIUM OPTIQUEMENT ACTIF ET TRANSISTORS ET THYRISTORS À LARGE BANDE INTERDITE ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/149846    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/071543
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 19.06.2007
CIB :
H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/16 (2006.01), H02M 7/00 (2006.01)
Déposants : SEMISOUTH LABORATORIES, INC. [US/US]; 201 Research Boulevard, Starkville, Mississippi 39759 (US) (Tous Sauf US).
MAZZOLA, Michael, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAZZOLA, Michael, S.; (US)
Mandataire : RAIMUND, Christopher, W.; Morris, Manning & Martin, LLP, 1333 H Street, N.W., Suite 820, Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
60/805,139 19.06.2006 US
11/764,606 18.06.2007 US
Titre (EN) OPTICALLY CONTROLLED SILICON CARBIDE AND RELATED WIDE-BANDGAP TRANSISTORS AND THYRISTORS
(FR) CARBURE DE SILICIUM OPTIQUEMENT ACTIF ET TRANSISTORS ET THYRISTORS À LARGE BANDE INTERDITE ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)An optically active material is used to create power devices and circuits having significant performance advantages over conventional methods for affecting optical control of power electronics devices and circuits. A silicon-carbide optically active material is formed by compensating shallow donors with the boron related D-center. The resulting material can be n-type or p-type but it is distinguished from other materials by the ability to induce persistent photoconductivity in it when illuminated by electromagnetic radiation with a photon energy in excess of the threshold energy required to photoexcite electrons from the D-center to allowed states close to the conduction band edge, which varies from polytype to polytype.
(FR)Selon l'invention, un matériau optiquement actif est utilisé pour créer des dispositifs et des circuits de puissance présentant des avantages significatifs en termes de performances par rapport aux procédés classiques visant à modifier le contrôle optique de dispositifs électroniques et de circuits de puissance. Un matériau optiquement actif à base de carbure de silicium est formé en compensant les donneurs superficiels par le centre D associé au bore. Le matériau résultant peut être de type n ou de type p, mais il se distingue des autres matériaux par la capacité à y induire une photoconductivité persistante lorsqu'il est éclairé par un rayonnement électromagnétique avec une énergie des photons dépassant l'énergie de seuil nécessaire pour photoexciter les électrons du centre D vers des états permis proches du bord de bande de conduction, qui varie d'un polytype à un autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)