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Paramétrages

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1. WO2007149846 - CARBURE DE SILICIUM OPTIQUEMENT ACTIF ET TRANSISTORS ET THYRISTORS À LARGE BANDE INTERDITE ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2007/149846
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/071543
Date du dépôt international 19.06.2007
CIB
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H01L 31/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
12structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources
16le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses
H02M 7/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
CPC
H01L 31/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
028including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/0312
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0312including, apart from doping materials or other impurities, only AIVBIV compounds, e.g. SiC
H01L 31/09
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
09Devices sensitive to infra-red, visible or ultraviolet radiation
H01L 31/1105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
11characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
1105the device being a bipolar phototransistor
H03K 17/78
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
78using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Y10S 438/917
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438Semiconductor device manufacturing: process
914Doping
917Deep level dopants, e.g. gold, chromium, iron or nickel
Déposants
  • SEMISOUTH LABORATORIES, INC. [US/US]; 201 Research Boulevard Starkville, Mississippi 39759, US (AllExceptUS)
  • MAZZOLA, Michael, S. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • MAZZOLA, Michael, S.; US
Mandataires
  • RAIMUND, Christopher, W.; Morris, Manning & Martin, LLP 1333 H Street, N.W., Suite 820 Washington, DC 20005, US
Données relatives à la priorité
11/764,60618.06.2007US
60/805,13919.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) OPTICALLY CONTROLLED SILICON CARBIDE AND RELATED WIDE-BANDGAP TRANSISTORS AND THYRISTORS
(FR) CARBURE DE SILICIUM OPTIQUEMENT ACTIF ET TRANSISTORS ET THYRISTORS À LARGE BANDE INTERDITE ASSOCIÉS
Abrégé
(EN)
An optically active material is used to create power devices and circuits having significant performance advantages over conventional methods for affecting optical control of power electronics devices and circuits. A silicon-carbide optically active material is formed by compensating shallow donors with the boron related D-center. The resulting material can be n-type or p-type but it is distinguished from other materials by the ability to induce persistent photoconductivity in it when illuminated by electromagnetic radiation with a photon energy in excess of the threshold energy required to photoexcite electrons from the D-center to allowed states close to the conduction band edge, which varies from polytype to polytype.
(FR)
Selon l'invention, un matériau optiquement actif est utilisé pour créer des dispositifs et des circuits de puissance présentant des avantages significatifs en termes de performances par rapport aux procédés classiques visant à modifier le contrôle optique de dispositifs électroniques et de circuits de puissance. Un matériau optiquement actif à base de carbure de silicium est formé en compensant les donneurs superficiels par le centre D associé au bore. Le matériau résultant peut être de type n ou de type p, mais il se distingue des autres matériaux par la capacité à y induire une photoconductivité persistante lorsqu'il est éclairé par un rayonnement électromagnétique avec une énergie des photons dépassant l'énergie de seuil nécessaire pour photoexciter les électrons du centre D vers des états permis proches du bord de bande de conduction, qui varie d'un polytype à un autre.
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