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1. (WO2007148987) PROCÉDÉ ET CREUSET POUR LA SOLIDIFICATION DIRECTE DE LINGOTS DE SILICIUM MULTICRISTALLIN DE QUALITÉ SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/148987    N° de la demande internationale :    PCT/NO2007/000226
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 22.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.2008    
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01)
Déposants : REC SCANWAFER AS [NO/NO]; Tormod Gjestlands vei 41, N-3908 Porsgrunn (NO) (Tous Sauf US).
JULSRUD, Stein [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
NAAS, Tyke, Laurence [NO/NO]; (NO) (US Seulement)
Inventeurs : JULSRUD, Stein; (NO).
NAAS, Tyke, Laurence; (NO)
Mandataire : ONSAGERS AS; P.O.Box 6963 St. Olavs plass, N-0130 Oslo (NO)
Données relatives à la priorité :
60/815,858 23.06.2006 US
Titre (EN) METHOD AND CRUCIBLE FOR DIRECT SOLIDIFICATION OF SEMICONDUCTOR GRADE MULTI-CRYSTALLINE SILICON INGOTS
(FR) PROCÉDÉ ET CREUSET POUR LA SOLIDIFICATION DIRECTE DE LINGOTS DE SILICIUM MULTICRISTALLIN DE QUALITÉ SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to a method for direct solidification of semiconductor grade multi-crystalline silicon ingots allowing improved control with the solidification process and reduced levels of oxygen and carbon impurities in the ingot, by crystallizing the semiconductor grade silicon ingot, optionally also including the melting of the feed silicon material, in a crucible made of silicon nitride, or in a crucible made of a composite of silicon carbide and silicon nitride, and where the wall thickness of the bottom of the crucible is dimensioned such that the thermal resistance across the bottom is reduced to a level of at least the same order as thermal resistance across the support below carrying the crucible or lower. The invention also relates to crucibles which are made of silicon nitride, or of a composite of silicon carbide and silicon nitride, and where the wall thickness of the bottom of the crucible is dimensioned such that the thermal resistance across the bottom is reduced to a level of at least the same order as thermal resistance across the support below carrying the crucible or lower.
(FR)Cette invention concerne un procédé de solidification directe de lingots de silicium multicristallin de qualité semi-conducteur permettant d'améliorer le contrôle du processus de solidification et de réduire les niveaux d'impuretés à base d'oxygène et de carbone dans les lingots, par cristallisation des lingots de silicium de qualité semi-conducteur, comprenant éventuellement la fusion de la charge de silicium, dans un creuset en nitrure de silicium ou en composite de carbure de silicium et de nitrure de silicium, l'épaisseur du fond du creuset étant dimensionnée pour que la résistance thermique à travers le fond soit réduite à un niveau au moins du même ordre que la résistance thermique à travers le support sous-jacent soutenant le creuset, ou inférieur. L'invention concerne également des creusets en nitrure de silicium ou en composite de carbure de silicium et de nitrure de silicium, l'épaisseur du fond du creuset étant dimensionnée pour que la résistance thermique à travers le fond soit réduite à un niveau au moins du même ordre que la résistance thermique à travers le support sous-jacent soutenant le creuset, ou inférieur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)