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1. (WO2007148760) PROCÉDÉ D'ÉLABORATION D'UN FILM DE TASIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/148760    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/062530
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 21.06.2007
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAMURA, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASAKI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWANO, Yumiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA, Kazuhito; (JP).
YAMASAKI, Hideaki; (JP).
KAWANO, Yumiko; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323 Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-171862 21.06.2006 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING TaSiN FILM
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLABORATION D'UN FILM DE TASIN
(JA) TaSiN膜の成膜方法
Abrégé : front page image
(EN)A substrate is disposed in a treating vessel. An organic Ta compound gas having a Ta=N bond, an Si-containing gas, and an N-containing gas are introduced into the treating vessel to form a TaSiN film by CVD. In this film formation, at least one of the partial pressure of the Si-containing gas in the treating vessel, total pressure in the treating vessel, film formation temperature, and partial pressure of the N-containing gas is controlled to thereby regulate the Si concentration in the film. Especially when SiH4 gas is used as the Si-containing gas, the partial SiH4 gas pressure is determined based on the fact that the desired Si concentration in the film under given processing conditions can be expressed as a linear function involving the logarithm of the partial pressure of SiH4 gas.
(FR)Selon l'invention, un substrat est placé dans une enceinte de traitement. Un composé organique gazeux de tantale comportant une liaison Ta=N, un gaz contenant du silicium et un gaz contenant de l'azote sont introduits dans l'enceinte de traitement pour former un film de TaSiN par CVD. Lors de l'élaboration de ce film, au moins un paramètre choisi parmi la pression partielle du gaz contenant du silicium dans l'enceinte de traitement, la pression totale dans l'enceinte de traitement, la température d'élaboration du film et la pression partielle du gaz contenant de l'azote, est contrôlé pour réguler la concentration de silicium dans le film. En particulier, quand du SiH4 gazeux est utilisé comme gaz contenant du silicium, la pression partielle de SiH4 gazeux est déterminée en se basant sur le fait que la concentration de silicium souhaitée dans le film, dans des conditions de traitement données, peut être exprimée comme une fonction linéaire impliquant le logarithme de la pression partielle de SiH4 gazeux.
(JA) 処理容器内に基板を配置し、前記処理容器にTa=N結合を有する有機Ta化合物ガスと、Si含有ガスと、N含有ガスとを導入してCVDによりTaSiN膜を成膜する際に、処理容器内のSi含有ガスの分圧、処理容器内の全圧、成膜温度、およびN含有ガスの分圧の少なくとも1つを制御することにより膜中Si濃度を制御する。特に、Si含有ガスとしてSiHガスを用いるとき、所定のプロセス条件下において所望の膜中Si濃度がSiHガスの分圧の対数の一次関数として表現できることを利用して、SiHガスの分圧を決定する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)