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Paramétrages

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1. WO2007148486 - SiC MONOCRISTAL, UN PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL POUR LA PRODUCTION DE SiC MONOCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2007/148486
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/059911
Date du dépôt international 15.05.2007
CIB
C30B 29/36 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36Carbures
C30B 1/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
1Croissance des monocristaux à partir de l'état solide
10par réaction à l'état solide ou diffusion multi-phase
CPC
C30B 23/063
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
06Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
063Heating of the substrate
C30B 25/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
10Heating of the reaction chamber or the substrate
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
Déposants
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 Tokyo 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
  • 碇 真憲 IKARI, Masanori [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 金庭 徹 KANENIWA, Toru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 阿部 孝夫 ABE, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 碇 真憲 IKARI, Masanori; JP
  • 金庭 徹 KANENIWA, Toru; JP
  • 阿部 孝夫 ABE, Takao; JP
Mandataires
  • 野口 恭弘 NOGUCHI, Yasuhiro; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目16番4号 アーバン虎ノ門ビル 野口特許事務所 Tokyo NOGUCHI PATENT FIRM Urban Toranomon Bldg., 16-4 Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité
2006-17369923.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SINGLE-CRYSTAL SiC, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND APPARATUS FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SiC
(FR) SiC MONOCRISTAL, UN PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL POUR LA PRODUCTION DE SiC MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶SiC及びその製造方法並びに単結晶SiCの製造装置
Abrégé
(EN)
This invention provides a single-crystal SiC for use as a semiconductor device material or an LED material, and a process for producing the same, and an apparatus for producing a single-crystal SiC. In the single-crystal SiC, defects such as micropipes have been suppressed, and the single-crystal SiC has a high quality, is continuous, and has a large diameter. The process for producing a single-crystal SiC comprises the step of fixing an SiC seed single-crystal wafer onto a susceptor, and the step of externally continuously supplying a raw material for single-crystal SiC production onto the SiC seed single-crystal wafer and growing single-crystal SiC. The process is characterized in that the average temperature gradient of the susceptor, SiC seed single-crystal, and single-crystal SiC having a thickness increased with the growth thereof in the vertical direction (longitudinal direction) of the susceptor is not less than 0.5ºC/mm and not more than 9ºC/mm.
(FR)
La présente invention concerne un SiC monocristallin destiné à être utilisé comme matériau de dispositifs semi-conducteurs ou comme matériau de DEL, et un procédé de fabrication de ce dernier ainsi qu'un appareil pour produire un SiC monocristallin. Des défauts du SiC monocristallin, tels que des micro-conduits, ont été supprimés, et ledit SiC monocristallin est d'une qualité élevée, continu, et de grand diamètre. Le procédé de fabrication d'un SiC monocristallin comporte l'étape de fixation d'une tranche de monocristal d'ensemencement de Sic sur un susceptor, et l'étape consistant à adresser en continu de façon externe une matière première pour la production de SiC monocristallin sur la tranche de monocristal d'ensemencement de SiC et à faire croître du SiC monocristallin. Le procédé est caractérisé en ce que le gradient de température moyen du susceptor, l'épaisseur du monocristal d'ensemencement de SiC et du SiC monocristallin étant supérieure de par leur croissance dans la direction verticale (direction longitudinale) du susceptor, est égal ou supérieur à 0,5°C/mm et inférieur ou égal à 9°C/mm.
(JA)
 半導体デバイス用材料やLED用材料として利用される単結晶SiC及びその製造方法並びに単結晶SiCの製造装置に関するものであり、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶SiCを提供することを目的とする。  単結晶SiCを製造する方法であって、SiC種単結晶ウエハをサセプタに固定する工程、及び、外部より単結晶SiC製造用原料をSiC種単結晶ウエハ上に連続供給して単結晶SiCを成長させる工程を含み、前記サセプタ、SiC種単結晶並びに成長と共に厚みを増した単結晶SiCの、サセプタの鉛直方向(長手方向)の平均温度勾配を0.5°C/mm以上9°C/mm以下とすることを特徴とする単結晶SiCの製造方法。
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