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1. (WO2007148459) STRUCTURE DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/148459    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/056219
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 26.03.2007
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 41/29 (2013.01), H01L 41/312 (2013.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
ICHIKI, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MAEDA, Ryutaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHIKI, Masaaki; (JP).
MAEDA, Ryutaro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-169506 20.06.2006 JP
Titre (EN) DIELECTRIC STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 誘電体構造及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a low cost dielectric structure, which has a high dielectric constant and is formed on a necessary area without waste. A method for manufacturing such dielectric structure is also provided. The dielectric structure is formed by, prior to transfer, introducing a laminated structure having a high peeling characteristic into a base electrode on a heat resistant substrate which forms a dielectric film. The method for manufacturing the dielectric structure is composed of a step of forming a metal (8) for a second electrode and a dielectric film (9) in this order on an insulating film (7) formed on a heat resistant substrate (6); a step of forming a second electrode (4) and a dielectric body (3) on the insulating film (7) by patterning; a step of forming a first electrode (2) on a non heat resistant substrate (1); a step of pressure-bonding the dielectric body (3), which is formed on the heat resistant substrate (6), on a first electrode (2) formed on the non heat resistant substrate (1); and a step of peeling the oxide film (7) formed on the heat resistant substrate (6) from the second electrode (4), and obtaining a dielectric structure wherein the first electrode, the dielectric body and the second electrode are formed in this order on the non heat resistant substrate.
(FR)L'invention concerne une structure diélectrique à moindre coût, dotée d'une constante diélectrique élevée et formée sur une surface nécessaire sans perte. Un procédé pour la fabrication d'une telle structure diélectrique est également proposé. La structure diélectrique est formée par l'introduction, avant transfert, d'une structure stratifiée dont la caractéristique de pelage est élevée dans une électrode de base sur un substrat résistant à la chaleur formant un film diélectrique. Le procédé de fabrication de la structure diélectrique comporte une étape de formation d'un métal (8) pour une seconde électrode et d'un film diélectrique (9) dans cet ordre sur un film isolant (7) formé sur un substrat (6) résistant à la chaleur ; une étape de formation d'une seconde électrode (4) et d'un corps diélectrique (3) sur le film isolant (7) par formation de motifs ; une étape de formation d'une première électrode (2) sur un substrat (1) non résistant à la chaleur ; une étape de liaison par pression du corps diélectrique (3), formé sur un substrat (6) résistant à la chaleur, sur une première électrode (2) formée le substrat non résistant à la chaleur (1) ; et une étape de pelage du film d'oxyde (7) formé sur le substrat résistant à la chaleur (6) à partir de la seconde électrode (4), et d'obtention d'une structure diélectrique, la première électrode, le corps diélectrique et la seconde électrode étant formés dans cet ordre sur le substrat résistant à la chaleur.
(JA) 誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有し、しかも所要の場所に無駄なく形成することのできる誘電体構造体及びその製造方法を提供する。  耐熱性基板6上に形成された絶縁膜7上に、第2の電極用金属8及び誘電体膜9の順に形成する工程と、パターニングによって絶縁膜7上に第2の電極4及び誘電体3を形成する工程と、非耐熱性基板1上に第1の電極2を形成する工程と、非耐熱性基板1上に形成された第1の電極2上に耐熱性基板6上に形成された誘電体3を圧着する工程と、耐熱性基板6上に形成された酸化膜7と第2の電極4間を剥離して、非耐熱性基板上に、第1の電極、誘電体、及び第2の電極の順に形成された誘電体構造体を取得する工程とからなることを特徴とする誘電体構造体の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)