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1. (WO2007148457) APPAREIL POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR CATALYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/148457    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/055838
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 22.03.2007
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), B01J 23/30 (2006.01), B01J 33/00 (2006.01)
Déposants : Japan Advanced Institute of Science and Technology [JP/JP]; 1, Asahidai 1-chome, Nomi-shi Ishikawa 9231292 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMURA, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHDAIRA, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMURA, Hideki; (JP).
OHDAIRA, Keisuke; (JP).
HONDA, Kazuhiro; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shoji; Ohtakamico-Shinjuku Bldg. 9th Fl., 10-3, Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-172709 22.06.2006 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR CATALYTIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) APPAREIL POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR CATALYTIQUE
(JA) 触媒化学気相堆積装置
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] An apparatus for catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD apparatus) in which a feed gas is decomposed by contact with a heated catalyst structure and a decomposition species generated by the decomposition or a species newly generated from the decomposition species is transported to a substrate to deposit a thin film on the substrate. That part of the catalyst structure which has a lower temperature than the other parts is inhibited from suffering a catalyst structure surface alteration attributable to the low temperature, such as silicidation. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In the Cat-CVD apparatus, only that part of the catalyst structure which has a lower temperature than the other parts has, disposed in at least the surface of the catalyst structure, a compound or mixture preventing that low-temperature part from undergoing an alteration which is different from that occurring in the other parts of the catalyst structure and is caused by the temperature decrease in that low-temperature part.
(FR)L'invention concerne un appareil pour dépôt chimique en phase vapeur catalytique (appareil Cat-CVD), selon lequel un gaz d'alimentation est décomposé par contact avec une structure catalytique chauffée et une espèce de décomposition générée par la décomposition ou une espèce nouvellement générée à partir de l'espèce de décomposition est transportée vers un substrat pour déposer un film mince sur le substrat. La partie de la structure catalytique qui a une température inférieure aux autres parties est protégée d'une altération de surface de la structure catalytique attribuable à la température basse, telle que la silicidation. Dans l'appareil Cat-CVD, seule la partie de la structure catalytique qui a une température inférieure aux autres parties est munie, au moins à la surface de la structure catalytique, d'un composé ou mélange empêchant cette partie à température basse de subir une altération différente des altérations ayant lieu dans les autres parties de la structure catalytique, en raison de la température plus basse dans cette partie.
(JA)【課題】加熱した触媒体との接触分解反応により原料ガスを分解し、これによって生成された分解種または当該分解種が新たに生成する種を基板に輸送して当該基板に薄膜を堆積する触媒化学気相堆積装置(Cat-CVD装置)において、当該触媒体のうち他の部分の温度より温度低下する部分における、その温度低下に起因する、シリサイド化等、触媒体表面変性の発生を抑える。 【解決の手段】Cat-CVD装置における触媒体において、温度が当該触媒体における他の部分の温度より低下する部分である温度低下部分のみ、当該温度低下部分の温度低下に起因して触媒体における他の部分とは異なる変性が当該温度低下部分で生じることを防止する化合物または混合物を、当該温度低下部分における前記触媒体の少なくとも表面に形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)