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Paramétrages

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1. WO2007148456 - COMPOSÉ, COMPOSITION DE RÉSIST POSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSIST

Numéro de publication WO/2007/148456
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/055661
Date du dépôt international 20.03.2007
CIB
C07C 69/712 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
07CHIMIE ORGANIQUE
CCOMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
69Esters d'acides carboxyliques; Esters de l'acide carbonique ou de l'acide formique halogéné
66Esters d'acides carboxyliques dont le groupe carboxyle estérifié est lié à un atome de carbone acyclique et dont l'un des groupes OH, O-métal, -CHO, céto, éther, acyloxy, des groupes , des groupes ou des groupes se trouve dans la partie acide
67d'acides saturés
708Ethers
712le groupe hydroxyle de l'ester étant éthérifié par un composé hydroxylé dont le groupe hydroxyle est lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
G03F 7/004 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
G03F 7/039 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
039Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C07C 2603/74
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
2603Systems containing at least three condensed rings
56Ring systems containing bridged rings
58containing three rings
70containing only six-membered rings
74Adamantanes
C07C 69/712
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
69Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
66Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
67of saturated acids
708Ethers
712the hydroxy group of the ester being etherified with a hydroxy compound having the hydroxy group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0392
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
Déposants
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
  • 塩野 大寿 SHIONO, Daiju [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 平山 拓 HIRAYAMA, Taku [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 羽田 英夫 HADA, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 塩野 大寿 SHIONO, Daiju; JP
  • 平山 拓 HIRAYAMA, Taku; JP
  • 羽田 英夫 HADA, Hideo; JP
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453, JP
Données relatives à la priorité
2006-16985420.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSÉ, COMPOSITION DE RÉSIST POSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSIST
(JA) 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are a compound usable for a resist composition, a positive resist composition containing such a compound, and a method for forming a resist pattern. Specifically disclosed is a compound represented by the formula (A-1) below. In the formula (A-1) below, R11-R17 respectively represent an alkyl group or an aromatic hydrocarbon group; g and j respectively represent an integer of not less than 1, k and q respectively represent an integer of not less than 0, and g + j + k + q is not more than 5; b represents an integer of not less than 1, l and m respectively represent an integer of not less than 0, and b + l + m is not more than 4; c represents an integer of not less than 1, n and o respectively represent an integer of not less than 0, and c + n + o is not more than 4; A represents a trivalent aromatic cyclic group, an alkyl group, an alicyclic group, or a trivalent organic group having an aromatic cyclic group or alicyclic group; and Z represents a group represented by the formula (z1) below. In the formula (z1) below, Y represents an alkylene group, a divalent aromatic hydrocarbon group, an alicyclic group, or a divalent organic group having an aromatic hydrocarbon group or alicyclic group; and R' represents an acid-cleavable dissolution inhibiting group.
(FR)
La présente invention concerne un composé pouvant être utilisé pour une composition de résist, une composition de résist positif contenant ledit composé et un procédé de formation de motif de résist. L'invention concerne spécifiquement un composé représenté par la formule (A-1) ci-dessous. Dans la formule (A-1) ci-dessous, R11-R17 représentent respectivement un groupe alkyle ou un groupe hydrocarbure aromatique; g et j représentent respectivement un entier supérieur ou égal à 1, k et q représentent respectivement un entier supérieur ou égal à 0 et g + j + k + q n'excède pas 5; b représente un entier supérieur ou égal à 1, l et m représentant respectivement un entier supérieur ou égal à 0, et b + l + m n'excède pas 4; c représente un entier supérieur ou égal à 1, n et o représentent respectivement un entier supérieur ou égal à 0 et c + n + o n'excède pas 4; A représente un groupe cyclique aromatique trivalent, un groupe alkyle, un groupe alicyclique ou un groupe organique trivalent possédant un groupe cyclique aromatique ou un groupe alicyclique; et Z représente un groupe représenté par la formule (z1) ci-dessous. Dans la formule (z1) ci-dessous, Y représente un groupe alkylène, un groupe hydrocarbure aromatique divalent, un groupe alicyclique ou un groupe organique divalent possédant un groupe hydrocarbure aromatique ou un groupe alicyclique; et R' représente un groupe inhibiteur de dissolution clivable par un acide.
(JA)
not available
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