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Paramétrages

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1. WO2007147790 - PROCÉDÉ DE TRAITEMENT ANTIREFLET SÉLECTIF D'UNE SURFACE LIMITROPHE SEMI-CONDUCTRICE PAR RÉALISATION PARTICULIÈRE DU TRAITEMENT

Numéro de publication WO/2007/147790
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055984
Date du dépôt international 16.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.04.2008
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/0216 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
CPC
H01L 27/1462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
H01L 27/14685
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14685Process for coatings or optical elements
H01L 31/02165
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02162for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
02165using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
Déposants
  • X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67 99097 Erfurt, DE (AllExceptUS)
  • GAEBLER, Daniel [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • GAEBLER, Daniel; DE
Mandataires
  • LEONHARD, Reimund ; Leonhard Olgemoeller Fricke Postfach 10 09 62 80083 München, DE
Données relatives à la priorité
10 2006 027 969.717.06.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR SELEKTIVEN ENTSPIEGELUNG EINER HALBLEITERGRENZFLÄCHE DURCH EINE BESONDERE PROZESSFÜHRUNG
(EN) METHOD FOR THE SELECTIVE ANTIREFLECTION COATING OF A SEMICONDUCTOR INTERFACE BY A PARTICULAR PROCESS IMPLEMENTATION
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT ANTIREFLET SÉLECTIF D'UNE SURFACE LIMITROPHE SEMI-CONDUCTRICE PAR RÉALISATION PARTICULIÈRE DU TRAITEMENT
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein rationelles Verfahren zur selektiven Entspiegelung einer Halbleiteroberfläche, die Bestandteil von integrierten Schaltungen ist. Die Entspiegelung beruht auf Interferenz-Erscheinungen einer einfachen Schicht (16A) oder einem Schichtsystem (15, 16, 16'). Beispielsweise bilden Oxidschicht und eine überlagerte Siliziumnitridschicht das System (16B), wobei die Siliziumnitridschicht in einer frühen Phase der Herstellung der integrierten Schaltung als Schutzschicht ('silicide block layer') abgeschieden wird und auch als Ätzstoppschicht für das optische Fenster (18) dient.
(EN)
The invention relates to an efficient method for the selective antireflection coating of a semiconductor surface that is part of integrated circuits. The antireflection coating is based on interference phenomena of a single layer (16A) or a layer system (15, 16, 16'). By way of example, oxide layer and a superimposed silicon nitride layer form the system (16B), wherein the silicon nitride layer is deposited as protective layer ('silicide block layer'), in an early phase of the production of the integrated circuit and also serves as an etching stop layer for the optical window (18).
(FR)
L'invention concerne un procédé rationnel de traitement antireflet sélectif d'une surface semi-conductrice qui fait partie de circuits intégrés. Le traitement antireflet repose sur les phénomènes d'interférences d'une couche simple (16A) ou d'un système de couches (15, 16, 16'). Le système (16B) est par exemple constitué d'une couche d'oxyde et d'une couche de nitrure de silicium superposée, la couche de nitrure de silicium étant ajoutée dans une phase antérieure de la fabrication du circuit intégré comme couche de protection ('couche de blocage de siliciure') et servant également de couche d'arrêt de gravure pour la fenêtre optique (18).
Également publié en tant que
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