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Paramétrages

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1. WO2007147760 - DÉTECTEUR OMR ET DISPOSITIF COMPRENANT DE TELS DÉTECTEURS

Numéro de publication WO/2007/147760
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055801
Date du dépôt international 13.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 22.04.2008
CIB
G01R 33/09 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
G11B 5/39 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39utilisant des dispositifs magnétorésistifs
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
H01F 10/002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
002Antiferromagnetic thin films, i.e. films exhibiting a Néel transition temperature
H01F 10/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
005organic or organo-metallic films, e.g. monomolecular films obtained by Langmuir-Blodgett technique, graphene
H01F 10/3218
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
3218Exchange coupling of magnetic films via an antiferromagnetic interface
Déposants
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München, DE (AllExceptUS)
  • RÜHRIG, Manfred [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • RÜHRIG, Manfred; DE
Représentant commun
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München, DE
Données relatives à la priorité
10 2006 028 698.722.06.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) OMR-SENSOR UND ANORDNUNG AUS SOLCHEN SENSOREN
(EN) OMR SENSOR AND ARRANGEMENT OF SAID SENSORS
(FR) DÉTECTEUR OMR ET DISPOSITIF COMPRENANT DE TELS DÉTECTEURS
Abrégé
(DE)
Aus Schichtsystemen mit wenigstens einer Polymerschicht gebildete Magnetsensoren sind bekannt. Bei einem solchen Schichtsystem ändert sich der elektrische Widerstand in Abhängigkeit vom Magnetfeld. Dabei sind im Allgemeinen nicht lineare Kennlinien vorhanden, die glockenförmig verlaufen können. Gemäß der Erfindung ist auf oder unter der wenigstens einen Polymerschicht ein zusätzliches magnetisches Schichtsystem angeordnet, das aufgrund seines Streufeldes eine magnetische Vorspannung der Kennlinie des Polymer-Magnetsensors bewirkt. Mit einer Anordnung aus mehreren derartigen Magnetsensoren kann eine Brückenschaltung zum Einsatz für eine praktische Messung gebildet werden.
(EN)
Magnetic sensors formed from layer systems with at least one polymer layer are known. In such layer systems the electrical resistance changes depending on the magnetic field. Non-linear characteristic curves are generally provided which can have a bell-shaped curve. According to the invention, an additional magnetic layer system is arranged on or below the at least one polymer layer which influences a magnetic bias to the characteristic curve of the polymer magnetic sensor as a result of the stray field thereof. A bridge circuit for application to a practical measurement can be formed from an arrangement of a number of such magnetic sensors.
(FR)
On connaît déjà des détecteurs magnétiques formés de systèmes multicouche présentant au moins une couche polymère. Dans un tel système multicouche, la résistance électrique varie en fonction du champ magnétique, de sorte qu'il se présente des caractéristiques, généralement non linéaires, d'allure générale en forme de cloche. L'invention est caractérisée en ce qu'il est prévu au-dessus/ ou au dessous d'au moins une couche polymère, un système multicouche magnétique supplémentaire qui, par suite de son champ de dispersion, engendre une pré-tension magnétique de la caractéristique du détecteur magnétique polymère. Il est dès lors possible de former, au moyen d'un dispositif comprenant plusieurs détecteurs magnétiques du type précité, un montage en pont utilisable pour une mesure pratique.
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