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Paramétrages

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1. WO2007147691 - TRANSISTOR BIPOLAIRE AVEC DOUBLE ISOLATION DE TRANCHÉE PEU PROFONDE ET RÉSISTANCE DE BASE FAIBLE

Numéro de publication WO/2007/147691
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/054930
Date du dépôt international 22.05.2007
CIB
H01L 21/331 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
331Transistors
H01L 29/737 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
737Transistors à hétérojonction
CPC
H01L 29/66242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
66242Heterojunction transistors [HBT]
H01L 29/7378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
737Hetero-junction transistors
7371Vertical transistors
7378comprising lattice mismatched active layers, e.g. SiGe strained layer transistors
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US (AllExceptUS)
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
  • KHATER, Marwan [JO/US]; US (UsOnly)
  • STRICKER, Andreas [CH/US]; US (UsOnly)
  • ORNER, Bradley [US/US]; US (UsOnly)
  • DAHLSTROM, Mattias [SE/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KHATER, Marwan; US
  • STRICKER, Andreas; US
  • ORNER, Bradley; US
  • DAHLSTROM, Mattias; US
Mandataires
  • WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN, GB
Données relatives à la priorité
11/425,55021.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR WITH DUAL SHALLOW TRENCH ISOLATION AND LOW BASE RESISTANCE
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE AVEC DOUBLE ISOLATION DE TRANCHÉE PEU PROFONDE ET RÉSISTANCE DE BASE FAIBLE
Abrégé
(EN)
A bipolar transistor structure includes a semiconductor substrate (12) having at least a pair of neighboring first shallow trench isolation (STI) regions (14) disposed therein. The pair of neighboring first STI regions defines an active area (16) in the substrate. The structure also includes a collector (24) disposed in the in the active area of the semiconductor substrate, a base layer (26) disposed atop a surface of the semiconductor substrate in the active area, and a raised extrinsic base (48) disposed on the base layer. In accordance with the present, the raised extrinsic base has an opening to a portion of the base layer. An emitter (54) is located in the opening and extending on a portion of the patterned raised extrinsic base; the emitter is spaced apart and isolated from the raised extrinsic base. Moreover, and in addition to the first STI region, a second shallow trench isolation (STI) region (42') is present in the semiconductor substrate which extends inward from each pair of said first shallow trench isolation regions towards said collector. The second STI region has an inner sidewall surface that is sloped.
(FR)
Une structure de transistor bipolaire comporte un substrat semi-conducteur (12) muni d'au moins une paire de premières zones (14) d'isolation de tranchée peu profonde (STI) adjacentes définissant une zone active (16) dans le substrat. La structure comporte également un collecteur (24) disposé dans la zone active du substrat semi-conducteur, une couche de base (26) disposée sur une surface du substrat semi-conducteur dans la zone active, et une base extrinsèque surélevée (48) disposée sur la couche de base. Conformément à la présente invention, la base extrinsèque surélevée est dotée d'une ouverture vers une partie de la couche de base. Un émetteur (54) situé dans l'ouverture s'étend sur une partie de la base extrinsèque surélevée à motifs et est espacé et isolé de la partie extrinsèque surélevée. De plus, outre la première zone STI, le substrat semi-conducteur comporte une seconde zone d'isolation de tranchée peu profonde (STI) (42') qui s'étend vers l'intérieur de chaque paire desdites zones d'isolation de tranchée peu profonde vers ledit collecteur. Une surface de paroi latérale interne de la seconde zone STI est inclinée.
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