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1. (WO2007147670) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM À PROPRIÉTÉS DE SURFACE MODIFIÉES ET SUBSTRAT DE SILICIUM DE CE TYPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/147670    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/054172
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 27.04.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ILLING, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KRONMUELLER, Silvia [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FARBER, Paul [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARMBRUSTER, Simon [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LAMMEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
REICHENBACH, Ralf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHELLING, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FEYH, Ando [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BENZEL, Hubert; (DE).
ILLING, Matthias; (DE).
LAERMER, Franz; (DE).
KRONMUELLER, Silvia; (DE).
FARBER, Paul; (DE).
ARMBRUSTER, Simon; (DE).
LAMMEL, Gerhard; (DE).
REICHENBACH, Ralf; (DE).
SCHELLING, Christoph; (DE).
FEYH, Ando; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
102006028921.8 23.06.2006 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMSUBSTRATS MIT VERÄNDERTEN OBERFLÄCHENEIGENSCHAFTEN SOWIE EIN DERARTIGES SILIZIUMSUBSTRAT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SILICON SUBSTRATE HAVING MODIFIED SURFACE PROPERTIES AND A SILICON SUBSTRATE OF SAID TYPE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM À PROPRIÉTÉS DE SURFACE MODIFIÉES ET SUBSTRAT DE SILICIUM DE CE TYPE
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats (1), umfassend die Schritte Bereitstellen eines Siliziumsubstrats mit einer im Wesentlichen ebenen Siliziumoberfläche, Herstellen einer porösen Siliziumoberfläche mit einer Vielzahl von Poren (2), insbesondere mit Makroporen und/oder Mesoporen und/oder Nanoporen, Aufbringen eines in das Silizium einzubringenden Füllmaterials, welches einen Durchmesser aufweist, der kleiner als ein Durchmesser der Poren (2) ist, Einbringen des Füllmaterials (3) in die Poren (2), gegebenenfalls Entfernen von überflüssigem Füllmaterial (3) von der Siliziumoberfläche, und Tempern des mit dem in die Poren (2) eingefüllten Füllmaterials (3) versehenen Siliziumsubstrats (1) bei einer Temperatur zwischen ca. 1000°C bis ca. 1400°C, um die erzeugten Poren (2) wieder zu schließen und das Füllmaterial (3) einzuschließen.
(EN)The invention relates to a method for producing a silicon substrate (1). Said method comprises the following steps: a silicon substrate having an essentially flat silicon surface is prepared, a porous silicon surface having a plurality of pores (2), in particular with macropores and/or mesopores and/or nanopores, is produced, a filling material which is to be introduced into the silicon and which has a diameter that is smaller than the diameter of the pores (2) is applied, the filling material is introduced into the pores (2), optionally, excess filling material (3) is removed from the silicon surface, and the silicon substrate (1) provided with the filling material (3) filled into the pores (2) is tempered at a temperature of between approximately 1000°C to approximately 1400°C in order to reseal the produced pores (2) and to seal the filling material.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un substrat de silicium (1), lequel procédé consiste à préparer un substrat de silicium présentant une surface de silicium sensiblement plane, à réaliser une surface de silicium poreuse pourvue d'une pluralité de pores (2), en particulier de macropores et/ou de mésopores et/ou de nanopores, à appliquer un matériau de remplissage destiné à être introduit dans le silicium, lequel matériau présente un diamètre inférieur à un diamètre des pores (2), à introduire le matériau de remplissage (3) dans les pores (2), à éliminer éventuellement l'excédent de matériau de remplissage (3) de la surface de silicium et à tremper le substrat de silicium (1) dont les pores (2) sont remplis de matériau de remplissage (3) à une température comprise entre environ 1 000 °C et environ 1 400 °C, afin de refermer les pores produits (2) et d'enfermer le matériau de remplissage (3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)