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1. (WO2007147663) CAPTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT CAPTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/147663    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/053932
Date de publication : 27.12.2007 Date de dépôt international : 23.04.2007
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G01J 5/10 (2006.01), G01K 7/01 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARMBRUSTER, Simon [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHELLING, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOECHST, Arnim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FEYH, Ando [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BENZEL, Hubert; (DE).
ARMBRUSTER, Simon; (DE).
SCHELLING, Christoph; (DE).
HOECHST, Arnim; (DE).
FEYH, Ando; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 028 435.6 21.06.2006 DE
Titre (DE) SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CAPTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT CAPTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere zur ortsaufgelösten Detektion, der aufweist ein Substrat (1), mindestens ein mikrostrukturiertes Sensorelement (52) mit einer ihren Wert temperaturabhängig ändernden elektrischen Eigenschaft, und mindestens einer Membran (36.1) oberhalb einer Kaverne (26, 74, 94), wobei das Sensorelement (52) an der Unterseite der mindestens einen Membran (36.1) angeordnet ist, und wobei das Sensorelement (52) über Zuleitungen (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) kontaktiert sind, die in, auf oder unter der Membran (36.1) verlaufen. Es können insbesondere mehrere Sensorelemente (52) als Diodenpixel in einer monokristallinen, durch Epitaxie ausgebildeten Schicht ausgebildet sein. In der Membran (36.1) können Aufhängefedern (70) ausgebildet sein, die die einzelnen Sensorelemente (52) elastisch und isolierend aufnehmen.
(EN)The invention relates to a sensor, especially for location-independent detection. Said sensor comprises a substrate (1), at least one microstructured sensor element (52) having an electrical property that varies with temperature, and at least one membrane (36.1) above a cavern (26, 74, 94), the sensor element (52) being arranged on the lower face of the at least one membrane (36.1), and the sensor element (52) being connected via leads (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) which extend in, on or below the membrane (36.1). According to the invention, especially a plurality of sensor elements (52) can be configured as diode pixels in a monocrystalline layer that is formed by epitaxial growth. In the membrane (36.1), suspension springs (70) can be configured that receive the individual sensor elements (52) in an elastic and insulating manner.
(FR)L'invention concerne un capteur permettant, en particulier, la détection à résolution locale, lequel capteur comporte un substrat (1), au moins un élément de détection à microstructure (52), présentant une propriété électrique dont la valeur varie en fonction de la température, et au moins une membrane (36.1) située au-dessus d'une cavité (26, 74, 94). L'élément de détection (52) est placé sur la face inférieure de ladite au moins une membrane (36.1) et ledit élément de détection (52) est mis en contact par l'intermédiaire de câbles d'alimentation (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) s'étendant dans, sur ou sous la membrane (36.1). En particulier, plusieurs éléments de détection (52) peuvent être réalisés sous forme de pixels à diodes dans une couche monocristalline réalisée par épitaxie. Des ressorts de suspension (70) peuvent être formés dans la membrane (36.1), lesquels ressorts reçoivent les éléments de détection (52) individuellement, de manière élastique et isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)