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Paramétrages

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1. WO2007147182 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE CONTENANT DES PARTICULES SEMI-CONDUCTRICES INORGANIQUES ET COMPOSANTS COMPRENANT CETTE COUCHE

Numéro de publication WO/2007/147182
Date de publication 27.12.2007
N° de la demande internationale PCT/AT2007/000294
Date du dépôt international 18.06.2007
CIB
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0256 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
C08L 65/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
LCOMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
65Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale; Compositions contenant des dérivés de tels polymères 
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
H01L 2251/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
30Materials
301Inorganic materials
303Oxides, e.g. metal oxides
305Transparent conductive oxides [TCO]
308composed of indium oxides, e.g. ITO
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
H01L 31/035281
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035272characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
035281Shape of the body
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • ISOVOLTA AG [AT/AT]; IZ Nö-Süd A-2355 Wiener Neudorf, AT (AllExceptUS)
  • PIBER, Monika, Sofie [AT/AT]; AT (UsOnly)
  • TRIMMEL, Gregor [AT/AT]; AT (UsOnly)
  • STELZER, Franz [AT/AT]; AT (UsOnly)
  • RATH, Thomas [AT/AT]; AT (UsOnly)
  • PLESSING, Albert, K. [AT/AT]; AT (UsOnly)
  • MEISSNER, Dieter [DE/AT]; AT (UsOnly)
Inventeurs
  • PIBER, Monika, Sofie; AT
  • TRIMMEL, Gregor; AT
  • STELZER, Franz; AT
  • RATH, Thomas; AT
  • PLESSING, Albert, K.; AT
  • MEISSNER, Dieter; AT
Mandataires
  • BEER, Manfred ; Lindengasse 8 A-1070 Wien, AT
Données relatives à la priorité
A1060/200622.06.2006AT
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER ANORGANISCHE HALBLEITERPARTIKEL ENTHALTENDEN SCHICHT SOWIE BAUELEMENTE UMFASSEND DIESE SCHICHT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A LAYER CONTAINING INORGANIC SEMICONDUCTOR PARTICLES, AND COMPONENTS COMPRISING SAID LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE CONTENANT DES PARTICULES SEMI-CONDUCTRICES INORGANIQUES ET COMPOSANTS COMPRENANT CETTE COUCHE
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer anorganische Halbleiterpartikel enthaltenden Schicht. Erfindungsgemäß wird die anorganische Halbleiterpartikel enthaltende Schicht in situ aus Metallsalzen und/oder Metallverbindungen und einem salzförmigen oder organischen Reaktionspartner innerhalb einer halbleitenden organischen Matrix gebildet. Die erfindungsgemäß hergestellten anorganische Halbleiterpartikel enthaltenden Schichten ermöglichen einen einfachen und kostengünstigen Herstellungsprozess für photovoltaische Elemente, wie Solarzellen oder Photodetektoren.
(EN)
The invention relates to a method for producing a layer containing inorganic semiconductor particles. According to the invention, the layer containing inorganic semiconductor particles is formed in situ from metal salts and/or metal compounds and a salt-type or organic reactant within a semiconducting organic matrix. The layers containing inorganic semiconductor particles and produced according to the invention enable a simple and cost-effective production process for photovoltaic elements, such as solar cells or photodetectors.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche contenant des particules semi-conductrices inorganiques. La couche contenant des particules semi-conductrices inorganiques est constituée in situ selon l'invention de sels métalliques et/ou de composés métalliques et d'un réactif salin ou organique à l'intérieur d'une matrice semi-conductrice organique. Les couches contenant des particules semi-conductrices inorganiques fabriquées selon l'invention permettent de fabriquer économiquement et facilement des éléments photovoltaïques, comme les cellules solaires et les photodétecteurs.
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