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Paramétrages

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1. WO2007147055 - MÉTHODE D'ÉLABORATION DE PRÉPARATIONS NANOCRISTALLINES SEMICONDUCTRICES

Numéro de publication WO/2007/147055
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/071218
Date du dépôt international 14.06.2007
CIB
C01B 19/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
19Sélénium; Tellure; Leurs composés
04Composés binaires
C01G 9/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
9Composés du zinc
08Sulfures
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01G 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
11Compounds of cadmium
C01G 13/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
13Compounds of mercury
C01G 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
15Compounds of gallium, indium or thallium
C01G 15/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
15Compounds of gallium, indium or thallium
006Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01G 21/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
21Compounds of lead
Déposants
  • EVIDENT TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 216 River Street, Suite 200 Troy, New York 12180, US (AllExceptUS)
  • PANG, Adam [CN/US]; US (UsOnly)
  • HINES, Margaret [US/US]; US (UsOnly)
  • PERERA, Susanthri [LK/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • PANG, Adam; US
  • HINES, Margaret; US
  • PERERA, Susanthri; US
Mandataires
  • MESSINA, Gerard A.; Kenyon & Kenyon, LLP One Broadway New York, New York 10004 , US
Données relatives à la priorité
11/680,04728.02.2007US
60/813,46415.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL COMPOSITIONS
(FR) MÉTHODE D'ÉLABORATION DE PRÉPARATIONS NANOCRISTALLINES SEMICONDUCTRICES
Abrégé
(EN)
A semiconductor nanocrystal composition comprising a Group V to VI semiconductor material and a method of making same. The method includes synthesizing a semiconductor nanocrystal core, where the synthesizing includes dissolving a Group V to VI anion gas in a first solvent to produce a Group V to VI anion precursor, preparing a cation precursor, and reacting the Group V to VI anion precursor with the cation precursor in the presence of a second solvent. The reacting may occur in a high pressure vessel.
(FR)
La présente invention porte sur une préparation nanocristalline semiconductrice comprenant un matériau semi-conducteur des Groupes V à VI ainsi que sur une méthode de fabrication de ladite préparation. La méthode inclut la synthèse d'un cœur nanocristallin semi-conducteur, ladite synthèse incluant la dissolution d'un gaz d'anion des Groupes V à VI dans un premier solvant pour obtenir un précurseur anionique des Groupes V à VI, la préparation d'un précurseur cationique, et la réaction du précurseur anionique des Groupes V à VI avec le précurseur cationique en présence d'un second solvant. La réaction peut se dérouler dans un réacteur haute pression.
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