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1. (WO2007146848) MODIFICATION DE SURFACE D'UN DIÉLECTRIQUE INTERCOUCHE POUR MINIMISER LA CONTAMINATION ET LA DÉGRADATION DE LA SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/146848    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/070820
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 09.06.2007
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
KOLICS, Artur [HU/US]; (US) (US Seulement).
LI, Nanhai [CN/US]; (US) (US Seulement).
POLYANSKAYA, Marina [BY/US]; (US) (US Seulement).
WEISE, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
CORNEILLE, Jason [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOLICS, Artur; (US).
LI, Nanhai; (US).
POLYANSKAYA, Marina; (US).
WEISE, Mark; (US).
CORNEILLE, Jason; (US)
Mandataire : PENILLA, Albert, S.; Martine Penilla & Gencarella, Llp, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
60/804,425 09.06.2006 US
11/760,722 08.06.2007 US
Titre (EN) SURFACE MODIFICATION OF INTERLAYER DIELECTRIC FOR MINIMIZING CONTAMINATION AND SURFACE DEGRADATION
(FR) MODIFICATION DE SURFACE D'UN DIÉLECTRIQUE INTERCOUCHE POUR MINIMISER LA CONTAMINATION ET LA DÉGRADATION DE LA SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor system includes: providing a dielectric layer (104); providing a conductor (108) in the dielectric layer (104), the conductor (108) exposed at the top of the dielectric layer (104); capping the exposed conductor (108); and modifying the surface of the dielectric layer (104); modifying the surface of the dielectric layer (104); wherein modifying the surface includes cleaning conductor (108) ions from the dielectric layer (104) by dissolving the conductor (108) in a low pH solution, dissolving the dielectric layer (104) under the conductor (108) ions, mechanically enhanced cleaning, or chemisorbing a hydrophobic layer (800) on the dielectric layer (104).
(FR)Le système semi-conducteur selon l'invention consiste : à disposer une couche diélectrique (104) ; à introduire un conducteur (108) dans la couche diélectrique (104), le conducteur (108) étant exposé sur le dessus de la couche diélectrique (104) ; à recouvrir le conducteur exposé (108) ; et à modifier la surface de la couche diélectrique (104). La modification de la surface consiste à nettoyer les ions du conducteur (108) de la couche diélectrique (104) en dissolvant le conducteur (108) dans une solution à faible pH, à dissoudre la couche diélectrique (104) sous les ions du conducteur (108), à réaliser un nettoyage mécaniquement amélioré, ou à chimisorber une couche hydrophobe (800) sur la couche diélectrique (104).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)