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Paramétrages

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1. WO2007146848 - MODIFICATION DE SURFACE D'UN DIÉLECTRIQUE INTERCOUCHE POUR MINIMISER LA CONTAMINATION ET LA DÉGRADATION DE LA SURFACE

Numéro de publication WO/2007/146848
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/070820
Date du dépôt international 09.06.2007
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
B08B 3/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
C11D 7/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
02Inorganic compounds
04Water-soluble compounds
08Acids
C11D 7/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
22Organic compounds
C11D 7/32
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
22Organic compounds
32containing nitrogen
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
H01L 21/76829
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76829characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US (AllExceptUS)
  • KOLICS, Artur [HU/US]; US (UsOnly)
  • LI, Nanhai [CN/US]; US (UsOnly)
  • POLYANSKAYA, Marina [BY/US]; US (UsOnly)
  • WEISE, Mark [US/US]; US (UsOnly)
  • CORNEILLE, Jason [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KOLICS, Artur; US
  • LI, Nanhai; US
  • POLYANSKAYA, Marina; US
  • WEISE, Mark; US
  • CORNEILLE, Jason; US
Mandataires
  • PENILLA, Albert, S.; Martine Penilla & Gencarella, Llp 710 Lakeway Drive Suite 200 Sunnyvale, CA 94085, US
Données relatives à la priorité
11/760,72208.06.2007US
60/804,42509.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SURFACE MODIFICATION OF INTERLAYER DIELECTRIC FOR MINIMIZING CONTAMINATION AND SURFACE DEGRADATION
(FR) MODIFICATION DE SURFACE D'UN DIÉLECTRIQUE INTERCOUCHE POUR MINIMISER LA CONTAMINATION ET LA DÉGRADATION DE LA SURFACE
Abrégé
(EN)
A semiconductor system includes: providing a dielectric layer (104); providing a conductor (108) in the dielectric layer (104), the conductor (108) exposed at the top of the dielectric layer (104); capping the exposed conductor (108); and modifying the surface of the dielectric layer (104); modifying the surface of the dielectric layer (104); wherein modifying the surface includes cleaning conductor (108) ions from the dielectric layer (104) by dissolving the conductor (108) in a low pH solution, dissolving the dielectric layer (104) under the conductor (108) ions, mechanically enhanced cleaning, or chemisorbing a hydrophobic layer (800) on the dielectric layer (104).
(FR)
Le système semi-conducteur selon l'invention consiste : à disposer une couche diélectrique (104) ; à introduire un conducteur (108) dans la couche diélectrique (104), le conducteur (108) étant exposé sur le dessus de la couche diélectrique (104) ; à recouvrir le conducteur exposé (108) ; et à modifier la surface de la couche diélectrique (104). La modification de la surface consiste à nettoyer les ions du conducteur (108) de la couche diélectrique (104) en dissolvant le conducteur (108) dans une solution à faible pH, à dissoudre la couche diélectrique (104) sous les ions du conducteur (108), à réaliser un nettoyage mécaniquement amélioré, ou à chimisorber une couche hydrophobe (800) sur la couche diélectrique (104).
Également publié en tant que
KR1020087030079
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