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1. (WO2007146769) NANO-PIÉZOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/146769    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/070693
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 08.06.2007
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : WANG, Zhong [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Xudong [CN/US]; (US) (US Seulement).
SONG, Jinhui [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHOU, Jun [CN/US]; (US) (US Seulement).
GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; Office Of Technology Licensing, 505 10th Street, Atlanta, GA 30332-0415 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : WANG, Zhong; (US).
WANG, Xudong; (US).
SONG, Jinhui; (US).
ZHOU, Jun; (US)
Mandataire : BOCKHOP, Bryan; Bockhop & Associates, LLC, 2375 Mossy Branch Dr., Snellville, GA 30078 (US)
Données relatives à la priorité :
60/813,101 13.06.2006 US
60/870,700 19.12.2006 US
60/888,408 06.02.2007 US
Titre (EN) NANO-PIEZOELECTRONICS
(FR) NANO-PIÉZOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconducting device (1600) includes a substrate (1610), a piezoelectric wire (1620), a structure (1550), a first electrode (1630) and a second electrode (1632). The piezoelectric wire (1620) has a first end and an opposite second end and is disposed on the substrate (1610). The structure (1550) causes the piezoelectric wire (1620) to bend in a predetermined manner between the first end and the second end so that the piezoelectric wire (1620) enters a first semiconducting state. The first electrode (1630) is coupled to the first end and the second electrode (1632) is coupled to the second end so that when the piezoelectric wire (1620) is in the first semiconducting state, an electrical characteristic will be exhibited between the first electrode (1630) and the second electrode (1632).
(FR)Le dispositif semi-conducteur (1600) selon l'invention comprend un substrat (1610), un fil piézoélectrique (1620), une structure (1550), une première électrode (1630) et une seconde électrode (1632). Le fil piézoélectrique (1620) comporte une première extrémité et une seconde extrémité opposée et est disposé sur le substrat (1610). La structure (1550) fait tordre le fil piézoélectrique (1620) de manière prédéterminée entre la première extrémité et la seconde extrémité de sorte que le fil piézoélectrique (1620) entre dans un premier état semi-conducteur. La première électrode (1630) est couplée à la première extrémité et la seconde électrode (1632) est couplée à la seconde extrémité de sorte que lorsque le fil piézoélectrique (1620) est dans le premier état semi-conducteur, une caractéristique électrique est générée entre la première électrode (1630) et la seconde électrode (1632).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)