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Paramétrages

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1. WO2007146011 - MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/146011
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/013349
Date du dépôt international 06.06.2007
CIB
H01L 27/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
G11C 16/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
H01L 27/11521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11521characterised by the memory core region
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US (AllExceptUS)
  • BANERJEE, Parag [IN/US]; US (UsOnly)
  • GAFRON, Terry [US/US]; US (UsOnly)
  • GONZALEZ, Fernando [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • BANERJEE, Parag; US
  • GAFRON, Terry; US
  • GONZALEZ, Fernando; US
Mandataires
  • BOLVIN, Kenneth; Leffert, Jay & Polglaze, P.A. 150 South Fifth Street, Suite 1900 Minneapolis, MN 55402, US
Données relatives à la priorité
11/447,70906.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR MAGNETIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A semiconductor magnetic memory device has a magnetic tunneling junction (103-107) formed over a memory cell. The memory cell has a control gate (101, 102) surrounded by a floating gate (120). The floating gate is coupled to the magnetic tunneling junction through a pinning layer (103) that maintains the magnetic orientation of the lower magnetic layer (106) of the junction. A current through a selected word line (101), coupled to the control gate, generates a first magnetic field. A current through a cell select line (110) generates a second magnetic field that is orthogonal to the first magnetic field. This changes the magnetic orientation of the upper magnetic layer (107) of the junction to lower its resistance, thus allowing a write/erase voltage on a program/erase line (109) to program/erase the floating gate.
(FR)
Dispositif de mémoire magnétique à semi-conducteur comportant une jonction tunnel magnétique formée sur une cellule mémoire. La cellule mémoire comporte une grille de commande entourée d'une grille flottante. La grille flottante est couplée à la jonction tunnel magnétique par l'intermédiaire d'une couche de blocage qui maintient l'orientation magnétique de la couche magnétique inférieure de la jonction. Un courant à travers une ligne de mot choisie, couplé à la grille de commande, génère un premier champ magnétique. Un courant à travers une ligne de sélection de cellule génère un second champ magnétique qui est perpendiculaire au premier champ magnétique. Ceci modifie l'orientation magnétique de la couche magnétique supérieure de la jonction pour réduire sa résistance, permettant ainsi à une tension écrire/effacer d'une ligne programmer/effacer de programmer/effacer la grille flottante.
Également publié en tant que
GB0821824.0
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