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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2007145892 - ENSEMBLE LASER À VIDAGE DE CAVITÉ ET À MODULATION DU FACTEUR Q

Numéro de publication WO/2007/145892
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/013149
Date du dépôt international 04.06.2007
CIB
H01S 3/115 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
10Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
11dans lesquels le facteur de qualité du résonateur optique est changé rapidement, c. à d. technique des impulsions géantes
115utilisant un dispositif électro-optique
H01S 3/11 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
10Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
11dans lesquels le facteur de qualité du résonateur optique est changé rapidement, c. à d. technique des impulsions géantes
CPC
H01S 3/0407
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
02Constructional details
04Cooling arrangements
0407Liquid cooling, e.g. by water
H01S 3/042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
02Constructional details
04Cooling arrangements
042for solid state lasers
H01S 3/0602
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
06Construction or shape of active medium
0602Crystal lasers or glass lasers
H01S 3/0627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
06Construction or shape of active medium
0627the resonator being monolithic, e.g. microlaser
H01S 3/09415
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
091using optical pumping
094by coherent light
0941of a laser diode
09415the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
H01S 3/1103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
3Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
11Pulse generation, e.g. Q-switching, mode locking
1103Cavity dumping
Déposants
  • BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; 65 Spit Brook Road Nashua, NH 03060, US (AllExceptUS)
  • ZUCKER, Oved [US/US]; US (UsOnly)
  • MOREL, Yannick [FR/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • ZUCKER, Oved; US
  • MOREL, Yannick; US
Mandataires
  • LONG, Daniel, J.; Bae Systems Information And Electronic Systems Intgration Inc. 65 Spit Brook Road Nashua, NH 03060, US
Données relatives à la priorité
11/446,27005.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) Q-SWITCHED CAVITY DUMPED LASER ARRAY
(FR) ENSEMBLE LASER À VIDAGE DE CAVITÉ ET À MODULATION DU FACTEUR Q
Abrégé
(EN)
A microchip, Q-switched, cavity-dumped laser is end-pumped by VCSEL or a laser diode and comprises an electro-optic Q-switch mechanism actively controlled by photoconductive switches. The fast response time of the system and its small dimension produce short pulses (ten pico-second range), with high energy (uJ range). The microchip structure may be built using planar, wafer-like components such that a high-density array of lasers may be manufactured without tight alignment tolerances, providing efficient power or energy scaling.
(FR)
Un laser à vidage de cavité, à modulation du facteur Q et à micro-puce est pompé en extrémité par un VCSEL ou par une diode laser et comprend un mécanisme de modulation du facteur Q électro-optique commandé de manière active par des commutateurs photoconducteurs. Le temps de réponse rapide du système et sa petite dimension produisent des impulsions courtes (plage de dix pico-seconde) et une énergie élevée (gamme uJ). La structure à micro-puce peut être construite de composants planaires analogues à des plaquettes, de telle sorte qu'un ensemble laser haute densité peut être fabriqué sans tolérance d'alignement étroite, fournissant une mise à l'échelle efficace de la puissance ou de l'énergie.
Également publié en tant que
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