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Paramétrages

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1. WO2007145873 - CROISSANCE DE NITRURES DE GROUPE III DE FAIBLE DENSITÉ DE DISLOCATION ET STRUCTURES À FILM MINCE ASSOCIÉES

Numéro de publication WO/2007/145873
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/013095
Date du dépôt international 04.06.2007
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/36 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 23/025
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
025characterised by the substrate
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02389
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02389Nitrides
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
Déposants
  • COHEN, Philip, I. [US/US]; US
  • CUI, Bentao [CN/US]; US
Inventeurs
  • COHEN, Philip, I.; US
  • CUI, Bentao; US
Mandataires
  • HUBBARD, Kevin, J. ; Kagan Binder, Pllc Suite 200, Maple Island Building 221 Main Street North Stillwater, Minnesota 55082, US
Données relatives à la priorité
60/811,13305.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GROWTH OF LOW DISLOCATION DENSITY GROUP-III NITRIDES AND RELATED THIN-FILM STRUCTURES
(FR) CROISSANCE DE NITRURES DE GROUPE III DE FAIBLE DENSITÉ DE DISLOCATION ET STRUCTURES À FILM MINCE ASSOCIÉES
Abrégé
(EN)
Methods of growing a Group-Ill nitride thin-film material while applying an ion flux and preferably while the substrate is stationary or non rotating substrate are disclosed. The ion flux is preferably applied as an ion beam at a glancing angle of incidence. Growth under these conditions creates a nanoscale surface corrugation having a characteristic features size, such as can be measured as a wavelength or surface roughness. After the surface corrugation is created, and preferably in the same growth reactor, the substrate is rotated in an ion flux which cause the surface corrugation to be reduced. The result of forming a surface corrugation and then subsequently reducing or removing the surface corrugation is the formation of a nanosculpted region and polished transition region that effectively filter dislocations. Repeating such nanosculpted and polished regions provides reduction in dislocation density in thin-film structures.
(FR)
L'invention concerne des procédés de culture de structures à film mince de nitrure de groupe III de densité de dislocation réduite. Les procédés selon la présente invention consistent à cultiver un matériau à film mince de nitrure de groupe III tout en appliquant un flux ionique et de préférence tandis que le substrat est stationnaire ou non rotatif. Le flux ionique est appliqué de préférence sous forme de faisceau ionique selon un faible angle d'incidence. Une croissance dans ces conditions crée une ondulation superficielle à l'échelle du nanomètre avec une taille caractéristique, que l'on peut mesurer comme longueur d'onde ou rugosité de surface. Après création de l'ondulation superficielle, et de préférence dans le même réacteur de croissance, le substrat est mis en rotation dans un flux ionique ce qui provoque la réduction de l'ondulation de surface. Le résultat de la formation d'une ondulation de surface puis de la réduction ou de l'élimination de l'ondulation de surface est la formation d'une région nanosculptée et d'une région de transition polie pour le filtrage efficace des dislocations. La répétition de telles régions nanosculptées et polies assure avantageusement une réduction significative de la densité de dislocation des structures à film mince.
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