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1. (WO2007145873) CROISSANCE DE NITRURES DE GROUPE III DE FAIBLE DENSITÉ DE DISLOCATION ET STRUCTURES À FILM MINCE ASSOCIÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/145873    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/013095
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 04.06.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01)
Déposants : COHEN, Philip, I. [US/US]; (US).
CUI, Bentao [CN/US]; (US)
Inventeurs : COHEN, Philip, I.; (US).
CUI, Bentao; (US)
Mandataire : HUBBARD, Kevin, J.; Kagan Binder, Pllc, Suite 200, Maple Island Building, 221 Main Street North, Stillwater, Minnesota 55082 (US)
Données relatives à la priorité :
60/811,133 05.06.2006 US
Titre (EN) GROWTH OF LOW DISLOCATION DENSITY GROUP-III NITRIDES AND RELATED THIN-FILM STRUCTURES
(FR) CROISSANCE DE NITRURES DE GROUPE III DE FAIBLE DENSITÉ DE DISLOCATION ET STRUCTURES À FILM MINCE ASSOCIÉES
Abrégé : front page image
(EN)Methods of growing a Group-Ill nitride thin-film material while applying an ion flux and preferably while the substrate is stationary or non rotating substrate are disclosed. The ion flux is preferably applied as an ion beam at a glancing angle of incidence. Growth under these conditions creates a nanoscale surface corrugation having a characteristic features size, such as can be measured as a wavelength or surface roughness. After the surface corrugation is created, and preferably in the same growth reactor, the substrate is rotated in an ion flux which cause the surface corrugation to be reduced. The result of forming a surface corrugation and then subsequently reducing or removing the surface corrugation is the formation of a nanosculpted region and polished transition region that effectively filter dislocations. Repeating such nanosculpted and polished regions provides reduction in dislocation density in thin-film structures.
(FR)L'invention concerne des procédés de culture de structures à film mince de nitrure de groupe III de densité de dislocation réduite. Les procédés selon la présente invention consistent à cultiver un matériau à film mince de nitrure de groupe III tout en appliquant un flux ionique et de préférence tandis que le substrat est stationnaire ou non rotatif. Le flux ionique est appliqué de préférence sous forme de faisceau ionique selon un faible angle d'incidence. Une croissance dans ces conditions crée une ondulation superficielle à l'échelle du nanomètre avec une taille caractéristique, que l'on peut mesurer comme longueur d'onde ou rugosité de surface. Après création de l'ondulation superficielle, et de préférence dans le même réacteur de croissance, le substrat est mis en rotation dans un flux ionique ce qui provoque la réduction de l'ondulation de surface. Le résultat de la formation d'une ondulation de surface puis de la réduction ou de l'élimination de l'ondulation de surface est la formation d'une région nanosculptée et d'une région de transition polie pour le filtrage efficace des dislocations. La répétition de telles régions nanosculptées et polies assure avantageusement une réduction significative de la densité de dislocation des structures à film mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)