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Paramétrages

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1. WO2007145701 - PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS À FILS À L'ÉCHELLE DU NANOMÈTRE

Numéro de publication WO/2007/145701
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/008540
Date du dépôt international 06.04.2007
CIB
B82B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
3Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 29/0665
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
H01L 29/0673
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
0669Nanowires or nanotubes
0673oriented parallel to a substrate
H01L 29/1606
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
1606Graphene
H01L 29/7781
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
778with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
7781with inverted single heterostructure, i.e. with active layer formed on top of wide bandgap layer, e.g. IHEMT
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US/US]; 17 Quincy Street Cambridge, MA 02138, US (AllExceptUS)
  • NAM, Sung, Woo [KR/US]; US (UsOnly)
  • JAVEY, Ali [US/US]; US (UsOnly)
  • LIEBER, Charles, M. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • NAM, Sung, Woo; US
  • JAVEY, Ali; US
  • LIEBER, Charles, M.; US
Mandataires
  • OYER, Timothy, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.c. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210, US
Données relatives à la priorité
60/790,32207.04.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NANOSCALE WIRE METHODS AND DEVICES
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS À FILS À L'ÉCHELLE DU NANOMÈTRE
Abrégé
(EN)
The present invention generally relates to nanoscale wire methods and devices, including systems and methods for positioning nanoscale wires on a surface, and articles made therefrom. One aspect of the invention is generally directed to aligned nanoscale wires on a surface of a substrate, and systems and methods of positioning such nanoscale wires on the surface. In one set of embodiments, a first substrate is provided having a plurality of nanoscale wires, and at least some of the nanoscale wires are transferred to a second substrate by contacting at least some of the nanoscale wires with the second substrate, e.g., by moving or 'sliding' the substrates relative to each other, in some cases causing alignment of the nanoscale wires on the second substrate. Another aspect of the invention is generally directed to electrical devices comprising a number of planes defined by nanoscale wires, e.g., in a 'stacked' configuration. Yet other aspects of the invention are directed to nanoscale wires that can be used as sensors, e.g., in such devices. Still other aspects of the invention are directed to systems and methods for making and using such devices, kits involving the same, and the like.
(FR)
La présente invention concerne généralement des procédés et dispositifs à fils à l'échelle du nanomètre, y compris les systèmes et procédés de positionnement de fils à l'échelle du nanomètre sur une surface, et les articles réalisés à partir de ceux-ci. Un aspect de l'invention a trait généralement aux fils à l'échelle du nanomètre alignés sur une surface de substrat, et aux systèmes et procédés de positionnement de tels fils à l'échelle du nanomètre à la surface. Selon un ensemble de modes de réalisation, un premier substrat est doté d'une pluralité de fils à l'échelle du nanomètre, et au moins une partie des fils à l'échelle du nanomètre sont transférés vers un second substrat en mettant au moins une partie des fils à l'échelle du nanomètre en contact avec le second substrat, par exemple, en déplaçant ou en 'faisant glisser' les substrats l'un par rapport à l'autre, ceci provoquant dans certains cas l'alignement des fils à l'échelle du nanomètre sur le second substrat. Un autre aspect de l'invention a trait généralement aux dispositifs électriques contenant un certain nombre de plans définis par des fils à l'échelle du nanomètre, par exemple, dans une configuration 'empilée'. D'autres aspects encore de l'invention concernent des fils à l'échelle du nanomètre que l'on peut utiliser comme capteurs, par exemple, dans de tels dispositifs. D'autres aspects encore de l'invention concernent des systèmes et procédés de fabrication et d'utilisation de tels dispositifs, des kits englobant ceux-ci, et similaires.
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