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1. (WO2007145407) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOFILS DE SILICIUM AU MOYEN D'UNE PELLICULE MINCE À POINTS QUANTIQUES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/145407    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/005309
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 08.12.2006
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 161, Gajeong-dong, Yusong-gu, Daejeon-city 305-350 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Rae-Man [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sang-Hyeob [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Jonghyurk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
MAENG, Sunglyul [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Rae-Man; (KR).
KIM, Sang-Hyeob; (KR).
PARK, Jonghyurk; (KR).
MAENG, Sunglyul; (KR)
Mandataire : Y.P. LEE, MOCK & PARTNERS; 1575-1 Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-875 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0053896 15.06.2006 KR
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SILICON NANOWIRES USING SILICON NANODOT THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOFILS DE SILICIUM AU MOYEN D'UNE PELLICULE MINCE À POINTS QUANTIQUES DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method of manufacturing silicon nanowires including: forming a silicon nanodot thin film having a plurality of silicon nanodots exposed on a substrate; and growing the silicon nanowires on the silicon nanodot thin film using the silicon nanodots as a nucleation site. The silicon nanowires can be manufactured using the silicon nanodot thin film disposed in a silicon nitride matrix, as a nucleation site instead of using catalytic metal islands, wherein the silicon nanodot thin film includes the silicon nanodots.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de nanofils de silicium consistant : à réaliser une pellicule mince à points quantiques de silicium comportant une pluralité de points quantiques de silicium exposés sur un substrat; et à faire croître les nanofils de silicium sur la pellicule mince à points quantiques de silicium en se servant des points quantiques de silicium comme d'un site de nucléation. Les nanofils de silicium peuvent être fabriqués au moyen de la pellicule mince à points quantiques de silicium disposée dans une matrice de nitrure de silicium comme site de nucléation plutôt que d'utiliser des îlots métalliques catalytiques, la pellicule mince à points quantiques de silicium comprenant les points quantiques de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)