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Paramétrages

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1. WO2007145300 - ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE EN SEMI-CONDUCTEUR AVEC UN COMPOSÉ AU NITRURE DE GALLIUM

Numéro de publication WO/2007/145300
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/062063
Date du dépôt international 08.06.2007
CIB
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 33/16 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
16ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
CPC
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 〒1058518 東京都港区芝大門一丁目13番9号 Tokyo 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
  • 村木典孝 MURAKI, Noritaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 渡邉宗隆 WATANABE, Munetaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 村木典孝 MURAKI, Noritaka; JP
  • 渡邉宗隆 WATANABE, Munetaka; JP
Mandataires
  • 青木篤 AOKI, Atsushi; 〒1058423 東京都港区虎ノ門三丁目5番1号 虎ノ門37森ビル青和特許法律事務所 Tokyo SEIWA PATENT & LAW Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 105-8423, JP
Données relatives à la priorité
2006-16373713.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE EN SEMI-CONDUCTEUR AVEC UN COMPOSÉ AU NITRURE DE GALLIUM
(JA) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Abrégé
(EN)
Provided is a gallium nitride compound semiconductor light emitting element which has excellent light extraction efficiency and has a rectangular high light emission flat plane with shorter and longer sides. The gallium nitride compound semiconductor light emitting element is composed of a substrate, and a gallium nitride compound semiconductor layer stacked on the substrate. The light emitting element is characterized in that the flat plane shape of the light emitting element is rectangular with longer and shorter sides and that the side plane of the gallium nitride compound semiconductor layer is not vertical to the substrate main plane.
(FR)
La présente invention concerne un élément émetteur de lumière en semi-conducteur avec un composé au nitrure de gallium dont l'efficacité d'extraction de lumière est excellente et comportant un plan plat rectangulaire à forte émission de lumière avec des petits et des grands côtés. Ledit élément émetteur de lumière en semi-conducteur avec un composé au nitrure de gallium est composé d'un substrat, et d'une couche semi-conductrice avec un composé au nitrure de gallium empilée sur le substrat. L'élément émetteur de lumière est caractérisé en ce que la forme du plan plat de l'élément émetteur de lumière est rectangulaire avec des petits et des grands côtés et en ce que le plan latéral de la couche semi-conductrice avec un composé au nitrure de gallium n'est pas vertical par rapport au plan principal du substrat.
(JA)
本発明の目的は、光取出し効率に優れ、発光出力の高い平面形状が縦横の辺の長さが異なる矩形である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することである。 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板および基板上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光素子であって、発光素子の平面形状が縦横の辺の長さが異なる矩形であり、該窒化ガリウム系化合物半導体層の側面が基板主面に対して垂直でないことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
Également publié en tant que
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