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1. (WO2007145089) PARTICULE SEMI-CONDUCTRICE À TROIS COUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/145089    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/061180
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 01.06.2007
CIB :
C09K 11/08 (2006.01), C01B 33/12 (2006.01), C09K 11/59 (2006.01), C01G 9/08 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA MEDICAL & GRAPHIC, INC. [JP/JP]; 1, Sakura-machi, Hino-shi, Tokyo 1918511 (JP) (Tous Sauf US).
SEKIGUCHI, Mitsuru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUKADA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SEKIGUCHI, Mitsuru; (JP).
TSUKADA, Kazuya; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-164420 14.06.2006 JP
Titre (EN) THREE-LAYER SEMICONDUCTOR PARTICLE
(FR) PARTICULE SEMI-CONDUCTRICE À TROIS COUCHES
(JA) 3層型半導体粒子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a three-layer semiconductor particle, which is larger than conventional core/shell type nano-size semiconductor particles, easy to handle and has a large emission quantity with a large light emitting region, with no change of emission wavelength. The three-layer semiconductor particle is provided with a core layer, a first shell layer and a second shell layer. The thickness of the first shell layer between the core layer and the second shell layer is within a range of 2-10nm. The band gaps of the materials forming the second shell layer and the core layer are both larger than the band gap of a semiconductor forming the first shell layer.
(FR)La présente invention concerne une particule semi-conductrice à trois couches, plus grande que les nanoparticules semi-conductrices de type à centre/coque conventionnel, simple à gérer et qui possède une grande quantité d'émission due à une grande zone électroluminescente, sans changement de la longueur d'onde d'émission. La particule semi-conductrice à trois couches est munie d'une couche de centre, d'une première couche de coque et d'une seconde couche de coque. L'épaisseur de la première couche de coque entre la couche de centre et la seconde couche de coque est comprise entre 2 et 10 nm. Les largeurs de bande des matériaux formant la seconde couche de coque et la couche de centre sont supérieures à celle d'un semi-conducteur formant la première couche de coque.
(JA) 本発明の目的は、発光波長は変更せずに、従来のコア/シェル型のナノサイズの半導体粒子よりも大きく、取り扱いが容易で、発光領域が大きい分発光量も大きい3層型半導体粒子を提供することにあり、コア層と第1のシェル層、第2のシェル層を有し、前記コア層と前記第2のシェル層の間の第1のシェル層の厚さが2~10nmの範囲の3層型半導体粒子であり、上記第2のシェル層およびコア層を形成する物質のバンドギャップがいずれも、第1のシェル層を形成する半導体のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)