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Paramétrages

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1. WO2007145086 - Dispositif à semiconducteur, émetteur de signal et méthode de transmission de signal

Numéro de publication WO/2007/145086
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/061176
Date du dépôt international 01.06.2007
CIB
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
H03K 19/0175 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
CPC
H01L 2225/06527
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2225Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
06503Stacked arrangements of devices
06527Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
H01L 25/0657
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
0657Stacked arrangements of devices
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H03K 17/6872
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
6871the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
6872using complementary field-effect transistors
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
  • 学校法人慶應義塾 KEIO UNIVERSITY [JP/JP]; 〒1088345 東京都港区三田二丁目15番45号 Tokyo 15-45, Mita 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088345, JP (AllExceptUS)
  • 深石 宗生 FUKAISHI, Muneo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 中川 源洋 NAKAGAWA, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 黒田 忠広 KURODA, Tadahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 深石 宗生 FUKAISHI, Muneo; JP
  • 中川 源洋 NAKAGAWA, Yoshihiro; JP
  • 黒田 忠広 KURODA, Tadahiro; JP
Mandataires
  • 宮崎 昭夫 MIYAZAKI, Teruo; 〒1070052 東京都港区赤坂1丁目9番20号 第16興和ビル8階 Tokyo 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP
Données relatives à la priorité
2006-16229612.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SIGNAL TRANSMITTER AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD
(FR) Dispositif à semiconducteur, émetteur de signal et méthode de transmission de signal
(JA) 半導体装置、信号伝送装置および信号伝送方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor device is provided with a plurality of semiconductor chips, and at least one transmission coil (108) for transmitting signals by using inductor coupling between the semiconductor chips. A plurality of transmission coils are connected in series.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semiconducteur doté d'une pluralité de puces à semiconducteurs, et au moins une inductance d'émission (108) pour l'émission de signaux par couplage de l'inductance entre les puces à semiconducteurs. Une pluralité d'inductances d'émission est connectée en série.
(JA)
 本発明の半導体装置は、複数の半導体チップと、半導体チップ間でインダクタ結合を用いて信号の伝送を行う少なくとも1つ以上の送信コイル108とを有し、送信コイルが直列に複数接続されている構成である。
Également publié en tant que
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