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1. (WO2007145075) FILM MINCE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/145075    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060954
Date de publication : 21.12.2007 Date de dépôt international : 30.05.2007
CIB :
C23C 16/42 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : TORAY ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; Nihonbashi Muromachi Bldg., 3-3-16, Nihonbashi-Hongokucho, Chuo-ku, Tokyo 1030021 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWADE, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAGUCHI, kohshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Mitsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Masamichi; (JP).
IWADE, Takashi; (JP).
TAGUCHI, kohshi; (JP).
YAMAZAKI, Mitsuo; (JP)
Mandataire : TSUGAWA, Tomoo; Lions Mansion Noe No.1201, 7-7, Chuo 2-chome Joto-ku, Osaka-shi Osaka 5360005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-167090 16.06.2006 JP
Titre (EN) SILICON THIN-FILM AND METHOD OF FORMING SILICON THIN-FILM
(FR) FILM MINCE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(JA) シリコン系薄膜及びシリコン系薄膜の形成方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a silicon thin-film that without damaging electronic devices mounted on a substrate and without extensive architecture of equipment, attains an enhancement of the adherence of silicon thin-film onto substrate and lowers the possibility of cracking or peeling, and provide a method of forming such a silicon thin-film. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] There is provided a method of forming a silicon thin-film, in particular, a method of forming a silicon thin-film with insulating function or barrier function on substrate (K) according to the CVD technique, which method includes the steps of forming first thin-film (11) on thesubstrate (K) with the use of a gas containing hydrogen element and a gas containing silicon element according to the plasma CVD technique; forming second thin-film (12) with the use of a gas containing nitrogen element and a gas containing silicon element according to the plasma CVD technique; and forming third thin-film (13) with the use of a gas containing oxygen element and a gas containing silicon element according to the plasma CVD technique.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention concerne un mince film de silicium qui, sans endommager des dispositifs électroniques montés sur un substrat et sans exiger une architecture matérielle étendue, permet d'améliorer l'adhérence du film au substrat et de réduire le risque de craquelure ou d'écaillage, et un procédé de formation d'un tel mince film de silicium. La solution proposée consiste en un procédé de formation d'un mince film de silicium et, en particulier, un procédé de formation d'un mince film de silicium à fonction d'isolation ou de protection sur un substrat (K) selon un procédé DCPV. Ledit procédé consiste à former un premier mince film (11) sur le substrat (K) au moyen d'un élément gazeux contenant de l'hydrogène et d'un élément gazeux contenant du silicium selon un procédé DCPV au plasma, à former un deuxième mince film (12) au moyen d'un élément gazeux contenant du nitrogène et d'un élément gazeux contenant du silicium selon le procédé DCPV au plasma, et à former un troisième mince film (13) au moyen d'un élément gazeux contenant de l'oxygène et d'un élément gazeux contenant du silicium selon le procédé DCPV au plasma.
(JA)【課題】基板上に形成された電子デバイスにダメージを与えることなく且つ装置構成を大掛かりなものとすることなく、基板上へのシリコン系薄膜の密着性を向上させることができ、クラックや剥離が生じ難いシリコン系薄膜及びシリコン系薄膜の形成方法を提供する。 【解決手段】本発明のシリコン系薄膜の形成方法は、絶縁機能またはバリア機能を有するシリコン系薄膜を、基板K上にCVD法により形成するシリコン系薄膜の形成方法において、水素元素を含むガスとシリコン元素を含むガスとを用い前記基板K上にプラズマCVD法により第1薄膜11を形成するステップと、窒素元素を含むガスとシリコン元素を含むガスとを用いプラズマCVD法により第2薄膜12を形成するステップと、酸素元素を含むガスとシリコン元素を含むガスとを用いプラズマCVD法により第3薄膜13を形成するステップとを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)