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Paramétrages

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1. WO2007145063 - SUBSTRAT DE FORMATION D'UNE FEUILLE EN PHASE SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA FEUILLE EN PHASE SOLIDE

Numéro de publication WO/2007/145063
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060600
Date du dépôt international 24.05.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.03.2008
CIB
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
H01L 21/208 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
208en utilisant un dépôt liquide
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
C30B 11/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
14characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 35/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
002Crucibles or containers
H01L 21/02376
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02376Carbon, e.g. diamond-like carbon
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02623Liquid deposition
02625using melted materials
Déposants
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
  • 吉田 浩司 YOSHIDA, Koji; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 吉田 浩司 YOSHIDA, Koji; null
Mandataires
  • 深見 久郎 FUKAMI, Hisao; 〒5300005 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー22階 深見特許事務所 Osaka Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité
2006-16761816.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-PHASE SHEET GROWING SUBSTRATE AND SOLID-PHASE SHEET MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT DE FORMATION D'UNE FEUILLE EN PHASE SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA FEUILLE EN PHASE SOLIDE
(JA) 固相シート成長用基体および固相シートの製造方法
Abrégé
(EN)
A solid-phase sheet growing substrate (100) is provided with a main plane (1) and side planes (2A, 2B) surrounding the main plane (1). The main plane (1) is divided into a peripheral section (12) outside a peripheral groove (10A) and an inner section (11) inside the peripheral groove (10A) by the peripheral groove (10A). On the side plane (2A) of the peripheral section (12), a slit groove (20) separated from the peripheral groove (10A) is formed.
(FR)
La présente invention concerne un substrat de formation d'une feuille en phase solide (100) qui a un plan principal (1) et des plans latéraux (2A, 2B) entourant le plan principal (1). Le plan principal (1) est divisé en une section périphérique (12) à l'extérieur d'une rainure périphérique (10A) et une section intérieure (11) à l'intérieur de la rainure périphérique (10A) par la rainure périphérique (10A). Sur le plan latéral (2A) de la section périphérique (12), une rainure fendue (20) séparée de la rainure périphérique (10A) est formée.
(JA)
 固相シート成長用基体(100)は、主面(1)と、主面(1)を取り囲む側面(2A,2B)とを有する。主面(1)は周縁溝(10A)によって周縁溝(10A)より外側の周辺部(12)と周縁溝(10A)より内側の内側部(11)とに区画され、周辺部(12)の側面(2A)には周縁溝(10A)から分離されたスリット溝(20)が形成されている。
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