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Paramétrages

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1. WO2007145025 - ÉLÉMENT ET DISPOSITIF OPTIQUES

Numéro de publication WO/2007/145025
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/058650
Date du dépôt international 20.04.2007
CIB
G02B 26/06 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
26Dispositifs ou systèmes optiques utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander l'intensité, la couleur, la phase, la polarisation ou la direction de la lumière, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation
06pour commander la phase de la lumière
G02B 26/08 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
26Dispositifs ou systèmes optiques utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander l'intensité, la couleur, la phase, la polarisation ou la direction de la lumière, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation
08pour commander la direction de la lumière
G02B 5/08 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5Eléments optiques autres que les lentilles
08Miroirs
G21K 1/06 2006.01
GPHYSIQUE
21PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
KTECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
1Dispositions pour manipuler des particules ou des rayonnements ionisants, p.ex. pour focaliser ou pour modérer
06utilisant la diffraction, la réfraction ou la réflexion, p.ex. monochromateurs
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G02B 17/0663
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
06using mirrors only ; , i.e. having only one curved mirror
0647using more than three curved mirrors
0663off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
G03F 1/24
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
24Reflection masks; Preparation thereof
G03F 1/38
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
G21K 1/062
GPHYSICS
21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
1Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
06using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
062Devices having a multilayer structure
Déposants
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 〒1058001 東京都港区芝浦一丁目1番1号 Tokyo 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 1058001, JP (AllExceptUS)
  • 俵山 和雄 TAWARAYAMA, Kazuo [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 東木 達彦 HIGASHIKI, Tatsuhiko [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 東川 巌 HIGASHIKAWA, Iwao [JP/JP]; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 俵山 和雄 TAWARAYAMA, Kazuo; null
  • 東木 達彦 HIGASHIKI, Tatsuhiko; null
  • 東川 巌 HIGASHIKAWA, Iwao; null
Mandataires
  • 鈴江 武彦 SUZUYE, Takehiko; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目12番9号 鈴榮特許綜合事務所内 Tokyo c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité
2006-16207212.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ET DISPOSITIF OPTIQUES
(JA) 光学素子及び光学装置
Abrégé
(EN)
An optical element (40) comprises a substrate (10), a magnetostrictive film (11) arranged on the substrate (10) and having a film thickness variable depending on the strength of the magnetic field, and a reflective film (15) arranged on the magnetostrictive film (11) and reflecting light. An optical device comprises a stage (41) mounting the optical element (40) and having a holder (141) where a plurality of holes are arranged in the mounting surface for the optical element (40), a plurality of magnetic field generating portions (61) buried in the holes of the holder (141), and a control mechanism (150) for controlling the magnetic fields respectively generated from the magnetic field generating portions (61), thereby controlling the film thickness of the magnetostrictive film (11) of the optical element (40).
(FR)
La présente invention concerne un élément optique (40) qui comprend un substrat (10), un film magnétostrictif (11) disposé sur le substrat (10) et ayant une épaisseur de film variable en fonction de la force du champ magnétique, et un film réfléchissant (15) disposé sur le film magnétostrictif (11) et réfléchissant la lumière. Le dispositif optique décrit comprend un étage (41) pour le montage de l'élément optique (40) et comportant un support (141) où est disposée une pluralité d'orifices dans la surface de montage pour l'élément optique (40), une pluralité de parties génératrices de champs magnétiques (61) enterrées dans les orifices du support (141), et un mécanisme de commande (150) pour commander les champs magnétiques générés respectivement à partir des parties génératrices de champs magnétiques (61), commandant ainsi l'épaisseur de film du film magnétostrictif (11) de l'élément optique (40).
(JA)
 光学素子(40)は、基板(10)と、基板(10)上に配置され、磁場の強さに応じて膜厚が変動する磁歪膜(11)と、磁歪膜(11)上に配置され、光を反射する反射膜(15)とを備える。光学装置は、光学素子(40)を載置し、光学素子(40)の載置面に複数の孔が配列されたホルダー(141)を有するステージ(41)と、ホルダー(141)の複数の孔に埋め込まれた複数の磁場発生部(61)と、複数の磁場発生部(61)のそれぞれが発生させる磁場を制御し、光学素子(40)の磁歪膜(11)の膜厚を制御する制御機構(150)とを具備する。
Également publié en tant que
KR1020087027754
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