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Paramétrages

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1. WO2007144955 - MONOCRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE CROISSANCE

Numéro de publication WO/2007/144955
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/312122
Date du dépôt international 16.06.2006
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
CPC
C30B 23/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
002Controlling or regulating
005Controlling or regulating flux or flow of depositing species or vapour
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 35/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
002Crucibles or containers
Y10T 428/2982
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
  • 宮永 倫正 MIYANAGA, Michimasa; null (UsOnly)
  • 水原 奈保 MIZUHARA, Naho; null (UsOnly)
  • 藤原 伸介 FUJIWARA, Shinsuke; null (UsOnly)
  • 中畑 成二 NAKAHATA, Seiji; null (UsOnly)
  • 中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 宮永 倫正 MIYANAGA, Michimasa; null
  • 水原 奈保 MIZUHARA, Naho; null
  • 藤原 伸介 FUJIWARA, Shinsuke; null
  • 中畑 成二 NAKAHATA, Seiji; null
  • 中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki; null
Mandataires
  • 中野 稔 NAKANO, Minoru; 〒5540024 大阪府大阪市此花区島屋一丁目1番3号 住友電気工業株式会社内 Osaka c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome Konohana-ku, Osaka-shi Osaka 5540024, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SINGLE CRYSTAL OF NITRIDE OF GROUP III ELEMENT AND METHOD OF GROWING THE SAME
(FR) MONOCRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE CROISSANCE
(JA) III族窒化物単結晶およびその成長方法
Abrégé
(EN)
A method of growing a good-quality single crystal of a Group III element nitride with satisfactory reproducibility; and a single crystal of a Group III element nitride obtained by the growth method. The method comprises growing a single crystal (3) of a Group III element nitride in a crystal growth vessel (11), and is characterized in that a porous object which is made of a metal carbide and has a porosity of 0.1-70% is used as at least part of the crystal growth vessel (11). Due to the use of this crystal growth vessel (11), 1-50% of a raw-material gas (4) present in the crystal growth vessel (11) can be discharged from the crystal growth vessel (11) through pores of the porous object.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de croissance d'un monocristal d'un nitrure d'un élément du groupe III de bonne qualité dont la reproductibilité est satisfaisante ; et un monocristal d'un nitrure d'un élément du groupe III obtenu selon le procédé de croissance. Le procédé comprend la croissance d'un monocristal (3) d'un nitrure d'un élément du groupe III dans un récipient de croissance de cristaux (11), et est caractérisé en ce qu'un objet poreux fabriqué en carbure métallique et ayant une porosité de 0,1 à 70 % est utilisé du moins en tant que partie du récipient de croissance de cristaux (11). En raison de l'utilisation de ce récipient de croissance de cristaux (11), de 0 à 50 % d'un gaz matière première (4) présent dans le récipient de croissance de cristaux (11) peut être évacué du récipient de croissance de cristaux (11) à travers les pores de l'objet poreux.
(JA)
  再現性よく品質のよいIII族窒化物単結晶を成長させる方法およびその成長方法により得られたIII族窒化物結晶を提供する。   結晶成長容器11の内部でIII族窒化物単結晶3を成長させる方法であって、結晶成長容器11の少なくとも一部に、金属炭化物で形成されている気孔率が0.1%以上70%以下の多孔質体を用いることを特徴とするIII族窒化物単結晶の成長方法。この結晶成長容器11を用いることにより、結晶成長容器11の内部の原料ガス4の1%以上50%以下を、多孔質体の気孔を介して結晶成長容器11の外部に排出することができる。
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