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Paramétrages

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1. WO2007144828 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2007/144828
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/IB2007/052220
Date du dépôt international 12.06.2007
CIB
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 21/8249 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8248Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ
8249Technologie bipolaire et MOS
CPC
H01L 21/8249
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8248Combination of bipolar and field-effect technology
8249Bipolar and MOS technology
H01L 27/0623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0623in combination with bipolar transistors
H01L 29/456
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
45Ohmic electrodes
456on silicon
H01L 29/66242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
66242Heterojunction transistors [HBT]
H01L 29/7378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
737Hetero-junction transistors
7371Vertical transistors
7378comprising lattice mismatched active layers, e.g. SiGe strained layer transistors
Déposants
  • NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, BE (AllExceptUS)
  • HIJZEN, Erwin [NL/BE]; GB (UsOnly)
  • MELAI, Joost [NL/NL]; GB (UsOnly)
  • VAN NOORT, Wibo, D. [NL/US]; GB (UsOnly)
  • DONKERS, Johannes, J., T., M. [NL/NL]; GB (UsOnly)
  • MEUNIER-BEILLARD, Philippe [FR/BE]; GB (UsOnly)
  • PIONTEK, Andreas, M. [DE/BE]; GB (UsOnly)
  • CHOI, Li Jen [BE/BE]; GB (UsOnly)
  • VAN HUYLENBROECK, Stefaan [BE/BE]; GB (UsOnly)
Inventeurs
  • HIJZEN, Erwin; GB
  • MELAI, Joost; GB
  • VAN NOORT, Wibo, D.; GB
  • DONKERS, Johannes, J., T., M.; GB
  • MEUNIER-BEILLARD, Philippe; GB
  • PIONTEK, Andreas, M.; GB
  • CHOI, Li Jen; GB
  • VAN HUYLENBROECK, Stefaan; GB
Mandataires
  • WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors IP Department Cross Oak Lane Redhill Surrey RH1 5HA, GB
Données relatives à la priorité
06115474.614.06.2006EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Abrégé
(EN)
The invention relates to a semiconductor device (10) with a substrate (11) and a semiconductor body (1) comprising a bipolar transistor with in that order a collector region (2), a base region (3), and an emitter region (4), wherein the semiconductor body comprises a projecting mesa (5) comprising at least a portion of the collector region (2) and the base region (3), which mesa is surrounded by an isolation region (6). According to the invention, the semiconductor device (10) also comprises a field effect transistor with a source region, a drain region, an interposed channel region, a superimposed gate dielectric (7), and a gate region (8), which gate region (8) forms a highest part of the field effect transistor, and the height of the mesa (5) is greater than the height of the gate region (8). This device can be manufactured inexpensively and easily by a method according to the invention, and the bipolar transistor can have excellent high-frequency characteristics.
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (10) avec un substrat (11) et un corps semi-conducteur (1) comprenant un transistor bipolaire avec, dans cet ordre, une zone de collecteur (2), une zone de base (3), et une zone d'émetteur (4). Ledit corps semi-conducteur comprend une mesa de projection (5) comprenant au moins une partie de la zone de collecteur (2) et de la zone de base (3), ladite mesa étant entourée d'une zone d'isolation (6). Selon l'invention, le dispositif semi-conducteur (10) comprend également un transistor à effet de champ avec une zone de source, une zone de drain, une zone de canal intercalée, un diélectrique de gâchette (7) superposé, et une zone de gâchette (8), ladite zone de gâchette (8) constituant la partie la plus supérieure du transistor à effet de champ, et la hauteur de la mesa (5) étant supérieure à la hauteur de la zone de gâchette (8). Le dispositif peut être fabriqué économiquement et facilement par un procédé selon l'invention, et les caractéristiques à haute fréquence du transistor bipolaire peuvent être excellentes.
Également publié en tant que
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