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Paramétrages

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1. WO2007144378 - DISPOSITIF ET PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN REACTEUR PAR PLASMA

Numéro de publication WO/2007/144378
Date de publication 21.12.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/055830
Date du dépôt international 13.06.2007
CIB
C23C 16/44 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
B08B 7/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
7Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe
CPC
C23C 16/4405
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
H01J 37/32862
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32853Hygiene
32862In situ cleaning of vessels and/or internal parts
H01J 37/32871
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32853Hygiene
32871Means for trapping or directing unwanted particles
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
Déposants
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) [FR/FR]; 3, rue Michel Ange F-75016 Paris, FR (AllExceptUS)
  • UNIVERSITE JOSEPH FOURIER - GRENOBLE 1 [FR/FR]; 621, avenue Centrale F-38400 St Martin d'Heres, FR (AllExceptUS)
  • PELLETIER, Jacques Henri [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • LACOSTE, Ana [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • BES, Alexandre [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • BECHU, Stéphane Jean Louis [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • SIROU, Jérôme [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • PELLETIER, Jacques Henri; FR
  • LACOSTE, Ana; FR
  • BES, Alexandre; FR
  • BECHU, Stéphane Jean Louis; FR
  • SIROU, Jérôme; FR
Mandataires
  • CABINET REGIMBEAU; 20, rue de Chazelles F-75847 Paris Cedex 17, FR
Données relatives à la priorité
060523813.06.2006FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) CLEANING DEVICE AND CLEANING PROCESS FOR A PLASMA REACTOR
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN REACTEUR PAR PLASMA
Abrégé
(EN)
The invention concerns a device and a process, the device being a cleaning device utilizing a dry chemical means assisted by plasma from a reactor (10) containing an unwanted deposit on its walls and at least one other polarizable surface (12), characterized in that it comprises means (13, 14) for positively polarizing one or each of the polarizable surfaces relative to the reactor walls maintained at a reference potential.
(FR)
L'invention concerne un dispositif et un procédé, le dispositif étant un dispositif de nettoyage par voie chimique sèche assisté par plasma d'un réacteur (10) comportant un dépôt indésirable sur ses parois et sur au moins une autre surface (12) polarisable, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (13, 14) pour polariser positivement, par rapport aux parois du réacteur maintenues à un potentiel référencé, la ou chaque surface polarisable.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international