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Paramétrages

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1. WO2007143572 - MÉTHODE DE CONTRÔLE DE TEMPÉRATURE POUR UN SUBSTRAT DE PHOTOLITHOGRAPHIE

Numéro de publication WO/2007/143572
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/070252
Date du dépôt international 01.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.12.2007
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
G03F 1/08 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
08Originaux utilisant des couches inorganiques formant l'image, p.ex. masques au chrome
CPC
G03F 1/80
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
80Etching
H01J 2237/2001
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
2001Maintaining constant desired temperature
H01J 2237/334
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
H01J 37/32623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
Déposants
  • OERLIKON USA, INC. [US/US]; 10050 16th Street North St. Petersburg, FL 33716, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • PLUMHOFF, Jason; US
  • RYAN, Larry; US
  • NOLAN, John; US
  • JOHNSON, David; US
  • WESTERMAN, Russell; US
Mandataires
  • KAUGET, Harvey; Phelps Dunbar LLP 100 South Ashley Drive Suite 1900 Tampa, FL 33602, US
Données relatives à la priorité
11/756,07431.05.2007US
60/811,13905.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TEMPERATURE CONTROL METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHIC SUBSTRATE
(FR) MÉTHODE DE CONTRÔLE DE TEMPÉRATURE POUR UN SUBSTRAT DE PHOTOLITHOGRAPHIE
Abrégé
(EN)
The present invention provides a method for processing a photolithographic substrate, comprising the placement of the photolithographic substrate on a support member in a chamber wherein the photolithographic substrate has an initial temperature of about zero degrees Celsius to about fifty degrees Celsius. A heat transfer fluid is introduced into the chamber to cool the photolithographic substrate to a target temperature of less than about zero degrees Celsius to less than about minus forty degrees Celsius. The cooled photolithographic substrate is subjected to a plasma process before the temperature of the cooled photolithographic substrate reaches the initial temperature.
(FR)
La présente invention concerne une méthode de transformation d'un substrat de photolithographie, ladite méthode comprenant le placement du substrat de photolithographie sur un support dans une chambre, le substrat de photolithographie présentant une température initiale comprise entre environ zéro degré Celsius et environ cinquante degrés Celsius. Un fluide calorifique est introduit dans la chambre pour refroidir le substrat de photolithographie jusqu'à une température cible comprise entre environ moins de moins quarante degrés Celsius et environ moins de zéro degré Celsius. Le substrat de photolithographie refroidi est soumis à transformation par plasma avant que sa température n'atteigne à nouveau la température initiale.
Également publié en tant que
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