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Paramétrages

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1. WO2007143476 - APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT INDIVIDUEL

Numéro de publication WO/2007/143476
Date de publication 13.12.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/069982
Date du dépôt international 30.05.2007
CIB
C23F 1/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
FENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
B08B 6/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
6Nettoyage par des moyens électrostatiques
C25F 1/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
1Nettoyage, dégraissage, décapage ou enlèvement de battitures par voie électrolytique
C25F 3/30 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Attaque de surface ou polissage électrolytique
16Polissage
30des matériaux semi-conducteurs
C25F 5/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5Enlèvement électrolytique de couches ou de revêtements métalliques
CPC
B08B 2203/0288
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
2203Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
02Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
0288Ultra or megasonic jets
B08B 3/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
02Cleaning by the force of jets or sprays
B08B 3/048
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
048Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
B08B 3/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
10with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration
12by sonic or ultrasonic vibrations
H01L 21/02052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02052Wet cleaning only
H01L 21/67028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
  • HANSEN, Eric [US/US]; US (UsOnly)
  • MIMKEN, Victor [US/US]; US (UsOnly)
  • BLECK, Martin [US/US]; US (UsOnly)
  • YALAMANCHILI, M. Rao [US/US]; US (UsOnly)
  • ROSATO, John [US/US]; US (UsOnly)
  • ATKINS, Wyland, L. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HANSEN, Eric; US
  • MIMKEN, Victor; US
  • BLECK, Martin; US
  • YALAMANCHILI, M. Rao; US
  • ROSATO, John; US
  • ATKINS, Wyland, L.; US
Mandataires
  • PATTERSON, B., Todd ; Patterson & Sheridan, L.l.p. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582, US
Données relatives à la priorité
11/445,70702.06.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR SINGLE SUBSTRATE PROCESSING
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT INDIVIDUEL
Abrégé
(EN)
In a method for treating a semiconductor substrate, a single substrate is positioned in a single-substrate process chamber and subjected to wet etching, cleaning and/or drying steps. The single substrate may be exposed to etch or clean chemistry in the single-substrate processing chamber as turbulence is induced in the etch or clean chemistry to thin the boundary layer of fluid attached to the substrate. Megasonic energy and/or disturbances in the chamber surfaces may provide the turbulence for boundary layer thinning. According to another aspect of a method according to the present invention, megasonic energy may be directed into a region within the single-substrate process chamber to create a zone of boundary layer thinning across the substrate surface, and a single substrate may be translated through the zone during a rinsing or cleaning process within the chamber to optimize cleaning/rinsing performance within the zone.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur, dans lequel un substrat individuel est placé dans une chambre de traitement de substrat individuel et subit des étapes de gravure en conditions humides, de nettoyage et/ou de séchage. Le substrat individuel peut être exposé à des produits chimiques de gravure ou de nettoyage dans la chambre de traitement de substrat individuel en même temps que l'on induit une turbulence dans les produits chimiques de gravure ou de nettoyage pour amincir la couche frontière de fluide fixée au substrat. Une énergie et/ou des perturbations mégasoniques au niveau des surfaces de la chambre peuvent assurer la turbulence pour l'amincissement de la couche frontière. Dans un autre aspect d'un procédé selon la présente invention, de l'énergie mégasonique peut être envoyée dans une zone située à l'intérieur de la chambre de traitement de substrat individuel pour créer une zone d'amincissement de la couche frontière sur la surface du substrat et un substrat individuel peut être déplacé dans la zone pendant une opération de rinçage et de nettoyage réalisée dans la zone, de manière à optimiser les performances de nettoyage et/ou de rinçage à l'intérieur de la zone.
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